2.在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。為了準(zhǔn)確的注入離子,需要在一個(gè)有限空間中用電磁場(chǎng)對(duì)離子的運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行調(diào)控。現(xiàn)在,我們來研究一個(gè)類似的模型。在空間內(nèi)存在邊長(zhǎng)L=0.64m的立方體OACD-O'A'C'D',以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn),沿OA、OO'和OD方向分別建立x、y、z軸。在OACD面的中心M處存在一粒子發(fā)射源,可在底面內(nèi)沿任意方向發(fā)射初速度為
,比荷
的帶正電粒子(不計(jì)重力)??稍趨^(qū)域內(nèi)施加一定的勻強(qiáng)電場(chǎng)或者勻強(qiáng)磁場(chǎng),使粒子可以到達(dá)相應(yīng)的空間位置。
(1)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),使粒子不飛出立方體,求施加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的最小值;
(2)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),使粒子只能從O'A'C'D'面飛出,求施加電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度E的最小值;
(3)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場(chǎng),若磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=4.0×10
-3T,求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的最大值t
max和最小值t
min;
(4)在(3)問的基礎(chǔ)上再加上沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度為E=4.0×10
2N/C。問(3)中最大時(shí)間和最小時(shí)間對(duì)應(yīng)的粒子能否從O'A'C'D'面飛出?若粒子不能從O'A'C'D'面飛出,請(qǐng)寫出這些粒子飛出立方體區(qū)域時(shí)的空間坐標(biāo)(x,y,z)。