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菁優(yōu)網(wǎng)氮化鎵（CaN）、碳化硅（SiC）是第三代半導體材料。
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
。Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序為
Ga＜O＜N
Ga＜O＜N
。
（2）GaCl3的熔點為77.9°C，氣體在270°C左右以二聚物存在，CaF3的熔點為1000°C；GaCl3的熔點低于GaF3的原因為
GaCl3為分子晶體，熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力，所以GaCl3的熔點低于GaF3
GaCl3為分子晶體，熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力，所以GaCl3的熔點低于GaF3
。
（3）GaCl3?xNH3（x=3，4，5，6）是一系列化合物，向含1molCaCl3?xNH3的溶液中加入足量AgNO3溶液，有難溶于稀硝酸的白色沉淀生成；過濾后，充分加熱濾液，有4mol氨氣逸出，且又有上述沉淀生成，兩次沉淀的物質的量之比為1：2。
①NH3的VSEPR模型名稱為
四面體形
四面體形
；
②能準確表示GaCl3?xNH3結構的化學式為
[Ga（NH3）4Cl2]Cl
[Ga（NH3）4Cl2]Cl
。
（4）與鎵同主族的硼（B）具有缺電子性，硼砂（四硼酸鈉Na2B4O7?10H2O）中B4O72-是由.兩個H3BO3和兩個[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環(huán)，應寫成[B4O3（OH）4]2-的形式，結構如圖1所示，則該離子中存在的作用力含有
BE
BE
（填序號），B原子的雜化方式為
sp2、sp3
sp2、sp3
。
A.離子鍵
B.極性鍵
C.氫鍵
D.范德華力
E.配位鍵
（5）氮化鎵的晶胞如圖2所示，Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶胞密度為cg/cm3，則該晶胞的空間利用率為
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
70
+
14
×100%
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
70
+
14
×100%
（已知空間利用率為晶胞內原子體積占晶胞體積的百分比）。
【答案】[Ar]3d104s24p1；Ga＜O＜N；GaCl3為分子晶體，熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力，所以GaCl3的熔點低于GaF3；四面體形；[Ga（NH3）4Cl2]Cl；BE；sp2、sp3；
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
70
+
14
×100%
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：13引用：1難度：0.4
相似題
  • 1．白磷（P4）是磷的單質之一，與鹵素單質反應生成鹵化磷。鹵化磷通常有三鹵化磷和五鹵化磷（PCl5分子結構如圖所示，其中Cl原子有兩種不同位置）。回答下列問題：
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （1）基態(tài)P原子的價電子排布式為
     
    。P、S、Cl的第一電離能由小到大順序為
     
    。
    （2）PCl5水解產(chǎn)生一種無色油狀中間產(chǎn)物POCl3，該分子的空間結構為
     
    。
    （3）PCl5中P的軌道雜化類型為
     
    （填字母標號）。
    A．sp3
    B．sp3d
    C．d2sp3
    D．dsp2
    （4）三鹵化磷的熔點見下表，分析變化趨勢及原因是
     
    。
    三鹵化磷 PF3 PCl3 PBr3 PI3
    熔點/℃ -151.5 -93.6 -41.5 61.2
    （5）PCl5晶體呈CsCl（晶胞結構如下圖）型構造，其中含有等量的[PCl6]-和正四面體形的
     
    （填化學式），兩者之間形成
     
    鍵。晶胞中含有的P原子的個數(shù)為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （6）白磷（P4）的晶胞結構如上圖。已知晶胞邊長為acm,阿伏加德羅常數(shù)為NAmol-1，則該晶體密度為
     
    g?cm-3（用含NA、a的式子表示）。
    發(fā)布：2024/9/18 4:0:8組卷：14引用：2難度：0.5
  • 2．金屬鈦密度小、強度高、抗腐蝕性能好，是應用廣泛的金屬。含鈦的礦石主要有金紅石和鈦鐵礦。
    （1）基態(tài)Ti原子的價層電子排布式為
     
    ，含有未成對電子
     
    個，Ti元素在周期表中的位置是
     
    。
    （2）將1molTiCl3?4H2O溶于水，加入足量AgNO3溶液，得到1molAgCl沉淀，已知Ti3+的配位數(shù)為6，TiCl3?4H2O的化學式用配合物的形式表示為
     
    。
    金紅石的主要成分是鈦的一種氧化物，該氧化物的晶胞邊長分別為apm,bpm,cpm。結構如圖1所示。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （3）由圖可知該氧化物的化學式是
     
    ，Ti填充在O構成的
     
    空隙中。
    A．三角形
    B．四面體
    C．八面體
    （4）該氧化物的熔點為1850℃，其晶體類型最不可能是
     
    。
    A．共價晶體
    B．離子晶體
    C．分子晶體
    （5）已知mg該氧化物晶體體積為Vcm3，則阿伏加德羅常數(shù)NA=
     
    。
    以鈦鐵礦為原料，用鎂還原法冶煉金屬鈦的工藝流程如圖2所示。
    （6）高溫氯化時除TiCl4外還得到一種可燃性氣體，寫出反應的方程式
     
    。
    （7）結合工藝流程和熔沸點數(shù)據(jù)，“分離”時所需控制的最低溫度應為
     
    ℃。
    Ti Mg MgCl2
    熔點/℃ 1668 651 714
    沸點/℃ 3287 1107 1412
    （8）MgCl2的熔點為714℃，而TiCl4的熔點僅為-24.1℃，解釋兩者熔點的差異：
     
    。
    發(fā)布：2024/9/17 4:0:8組卷：29引用：1難度：0.5
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3．原子序數(shù)依次遞增且都小于36的X、Y、Z、Q、W五種元素，其中X是原子半徑最小的元素，Y原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的2倍，Q原子基態(tài)時2p原子軌道上有2個未成對的電子，W元素的原子結構中3d能級有4個未成對電子。回答下列問題：
    （1）Y2X2分子中σ鍵和π鍵個數(shù)比為
     
    。
    （2）化合物ZX3的沸點比化合物YX4的高，其主要原因是
     
    。
    （3）元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體，元素Z的這種氧化物的分子式是
     
    。
    （4）元素W能形成多種配合物，如：W（CO）5等。
    ①基態(tài)W3+的M層電子排布式為
     
    。
    ②W（CO）5常溫下呈液態(tài)，熔點為-20.5℃，沸點為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷W（CO）x晶體屬于
     
    （填晶體類型）。
    （5）Q和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結構如圖，距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構成的幾何體為
     
    。已知該晶胞密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長a=
     
    nm。（用含ρ、NA的計算式表示）
    發(fā)布：2024/9/20 3:0:8組卷：17引用：2難度：0.5
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