(1)基態(tài) Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
M
M
,該能層具有的原子軌道數(shù)為
4
4
,電子數(shù)為
4
4
。
(2)依據(jù)第二周期元素第一電離能的變化規(guī)律,參照如圖B、F元素的位置,用小黑點(diǎn)標(biāo)出C、N、O三種元素的相對(duì)位置
。
(3)①N、Al、Si、Zn四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如表:
電離能 |
I1 |
I2 |
I3 |
I4 |
… |
In/kJ?mol-1 |
578 |
1817 |
2745 |
11575 |
… |
則該元素是
Al
Al
(填寫元素符號(hào))。
②基態(tài)鍺(Ge)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p2
[Ar]3d104s24p2
。Ge的最高價(jià)氯化物的分子式是
GeCl4
GeCl4
。