在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過(guò)磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長(zhǎng)為2L，寬為
（
4
-
2
3
）
L
．其寬和長(zhǎng)中心位置C和D處各有一個(gè)小孔；半徑為L(zhǎng)的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=
L
2
，不計(jì)離子重力。

（1）求離子通過(guò)速度選擇器后的速度大小；
（2）求磁分析器選擇出來(lái)的離子的比荷；
（3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍
2
3
3
B
≤
B
偏
≤
3
B，求硅片上離子注入的寬度．

【答案】見(jiàn)試題解答內(nèi)容

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。

發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：392引用：5難度：0.2

相似題

2．如圖所示，a,b,c三個(gè)帶電粒子從上端小孔O₂射入速度選擇器后，又都從O₂進(jìn)入下方的磁場(chǎng)，虛線是它們的運(yùn)動(dòng)軌跡，它們所帶電荷量之比為q₁：q₂：q₃=1：2：4，它們的質(zhì)量之比為m_a：m_b：m_c=1：1：2，不計(jì)粒子重力，則（　?。?/h2>

A．這三種粒子都帶負(fù)電

B．這三種粒子在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間都相等

C．打在P₂點(diǎn)的粒子是c

D．粒子b,c都打在P₁點(diǎn)

發(fā)布：2024/7/25 8:0:9組卷：144引用：4難度：0.7

3．如圖所示，讓一束均勻的陰極射線從兩極板正中間垂直穿過(guò)正交的電磁場(chǎng)，選擇合適的磁感應(yīng)強(qiáng)度B和兩極之間的電壓U，帶電粒子將不發(fā)生偏轉(zhuǎn)，然后撤去電場(chǎng)，粒子將做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，并垂直打到極板上，兩極板之間的距離為d,則陰極射線中帶電粒子的比荷為多少？
發(fā)布：2024/10/13 10:0:2組卷：55引用：3難度：0.3
解析

把好題分享給你的好友吧~~