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摻雜了硒(Se)、碲(Te) 固溶物的Ag2S是一種具有良好塑性和熱電性能的柔性半導體材料,該材料能用于可穿戴式、植入式電子設備的制備。
回答下列問題:
(1)Ag的核外電子排布式是[Kr]4d105s1,則Ag在元素周期表中的位置是
第五周期第ⅠB族
第五周期第ⅠB族
。下列屬于基態(tài)Ag+的電子排布式的是
B
B
(填標號)。
A.[Kr]4d95s2
B.[Kr]4dl0
C.[Kr]4d95s1
(2)S、As、Se、Br在元素周期表中的位置關系如圖所示,則As、Se、Br的第一電離能由大到小的順序為
Br>As>Se
Br>As>Se
S
e
O
2
-
3
的空間構型為
三角錐形
三角錐形
。
菁優(yōu)網(wǎng)
(3)金屬Ge也是一種良好的半導體,利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge,該離子液體的熔點只有7°C,其中EMIM+結構如圖所示。
菁優(yōu)網(wǎng)
①EMIM+中C原子的雜化類型是
sp2、sp3雜化
sp2、sp3雜化
。
②EMIM+中σ鍵數(shù):π鍵數(shù)=
19:1
19:1
。
③該離子液體的熔點比較低的原因是
組成該離子液體的陰、陽離子的電荷較小,而陰、陽離子的體積比較大,陰、陽離子之間的作用力較小
組成該離子液體的陰、陽離子的電荷較小,而陰、陽離子的體積比較大,陰、陽離子之間的作用力較小

(4)ZnS的立方晶胞結構如圖所示:
菁優(yōu)網(wǎng)
①ZnS晶體中,與S2-距離最近且等距的Zn2+的個數(shù)是
4
4

②ZnS的晶胞邊長為a pm,則晶體的密度為
4
×
97
N
A
×
a
×
1
0
-
10
3
4
×
97
N
A
×
a
×
1
0
-
10
3
g?cm-3 (用含a、NA的代數(shù)式表示,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
【答案】第五周期第ⅠB族;B;Br>As>Se;三角錐形;sp2、sp3雜化;19:1;組成該離子液體的陰、陽離子的電荷較小,而陰、陽離子的體積比較大,陰、陽離子之間的作用力較?。?;
4
×
97
N
A
×
a
×
1
0
-
10
3
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:13引用:2難度:0.5
相似題
  • 1.白磷(P4)是磷的單質之一,與鹵素單質反應生成鹵化磷。鹵化磷通常有三鹵化磷和五鹵化磷(PCl5分子結構如圖所示,其中Cl原子有兩種不同位置)。回答下列問題:
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (1)基態(tài)P原子的價電子排布式為
     
    。P、S、Cl的第一電離能由小到大順序為
     
    。
    (2)PCl5水解產(chǎn)生一種無色油狀中間產(chǎn)物POCl3,該分子的空間結構為
     
    。
    (3)PCl5中P的軌道雜化類型為
     
    (填字母標號)。
    A.sp3
    B.sp3d
    C.d2sp3
    D.dsp2
    (4)三鹵化磷的熔點見下表,分析變化趨勢及原因是
     
    。
    三鹵化磷 PF3 PCl3 PBr3 PI3
    熔點/℃ -151.5 -93.6 -41.5 61.2
    (5)PCl5晶體呈CsCl(晶胞結構如下圖)型構造,其中含有等量的[PCl6]-和正四面體形的
     
    (填化學式),兩者之間形成
     
    鍵。晶胞中含有的P原子的個數(shù)為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (6)白磷(P4)的晶胞結構如上圖。已知晶胞邊長為acm,阿伏加德羅常數(shù)為NAmol-1,則該晶體密度為
     
    g?cm-3(用含NA、a的式子表示)。
    發(fā)布:2024/9/18 4:0:8組卷:14引用:2難度:0.5
  • 2.金屬鈦密度小、強度高、抗腐蝕性能好,是應用廣泛的金屬。含鈦的礦石主要有金紅石和鈦鐵礦。
    (1)基態(tài)Ti原子的價層電子排布式為
     
    ,含有未成對電子
     
    個,Ti元素在周期表中的位置是
     
    。
    (2)將1molTiCl3?4H2O溶于水,加入足量AgNO3溶液,得到1molAgCl沉淀,已知Ti3+的配位數(shù)為6,TiCl3?4H2O的化學式用配合物的形式表示為
     
    。
    金紅石的主要成分是鈦的一種氧化物,該氧化物的晶胞邊長分別為apm,bpm,cpm。結構如圖1所示。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)由圖可知該氧化物的化學式是
     
    ,Ti填充在O構成的
     
    空隙中。
    A.三角形
    B.四面體
    C.八面體
    (4)該氧化物的熔點為1850℃,其晶體類型最不可能是
     
    。
    A.共價晶體
    B.離子晶體
    C.分子晶體
    (5)已知mg該氧化物晶體體積為Vcm3,則阿伏加德羅常數(shù)NA=
     
    。
    以鈦鐵礦為原料,用鎂還原法冶煉金屬鈦的工藝流程如圖2所示。
    (6)高溫氯化時除TiCl4外還得到一種可燃性氣體,寫出反應的方程式
     
    。
    (7)結合工藝流程和熔沸點數(shù)據(jù),“分離”時所需控制的最低溫度應為
     
    ℃。
    Ti Mg MgCl2
    熔點/℃ 1668 651 714
    沸點/℃ 3287 1107 1412
    (8)MgCl2的熔點為714℃,而TiCl4的熔點僅為-24.1℃,解釋兩者熔點的差異:
     
    。
    發(fā)布:2024/9/17 4:0:8組卷:29引用:1難度:0.5
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.原子序數(shù)依次遞增且都小于36的X、Y、Z、Q、W五種元素,其中X是原子半徑最小的元素,Y原子基態(tài)時最外層電子數(shù)是其內層電子數(shù)的2倍,Q原子基態(tài)時2p原子軌道上有2個未成對的電子,W元素的原子結構中3d能級有4個未成對電子?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)Y2X2分子中σ鍵和π鍵個數(shù)比為
     
    。
    (2)化合物ZX3的沸點比化合物YX4的高,其主要原因是
     
    。
    (3)元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體,元素Z的這種氧化物的分子式是
     
    。
    (4)元素W能形成多種配合物,如:W(CO)5等。
    ①基態(tài)W3+的M層電子排布式為
     
    。
    ②W(CO)5常溫下呈液態(tài),熔點為-20.5℃,沸點為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷W(CO)x晶體屬于
     
    (填晶體類型)。
    (5)Q和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結構如圖,距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構成的幾何體為
     
    。已知該晶胞密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞邊長a=
     
    nm。(用含ρ、NA的計算式表示)
    發(fā)布:2024/9/20 3:0:8組卷:17引用:2難度:0.5
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