以Cu
2O、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢(shì)。回答問(wèn)題:
(1)基態(tài)O原子的電子排布式
1s22s22p4
1s22s22p4
,其中未成對(duì)電子有
2
2
個(gè)。
(2)酞菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價(jià)值。酞菁分子結(jié)構(gòu)如圖1,分子中所有原子共平面,所有N原子的雜化軌道類(lèi)型相同,均采取
sp2
sp2
雜化。
鄰苯二甲酸酐(
)和鄰苯二甲酰亞胺(
)都是合成酞菁的原料,后者熔點(diǎn)高于前者,主要原因是
兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點(diǎn)更高
兩者均為分子晶體,后者能形成分子間氫鍵,使分子間作用力增大,熔點(diǎn)更高
。
(3)金屬Zn能溶于氨水,生成以氨為配體,配位數(shù)為4的配離子。Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為
Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++H2↑+2OH-
Zn+4NH3+2H2O=[Zn(NH3)4]2++H2↑+2OH-
。
(4)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能。Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
O的電負(fù)性比N大,即Zn-O的極性比Zn-N的極性大,離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高
O的電負(fù)性比N大,即Zn-O的極性比Zn-N的極性大,離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高
。
(5)圖2為某ZnO晶胞示意圖,圖3是若干晶胞無(wú)限并置而成的底面O原子排列局部平面圖。abcd為所取晶胞的下底面,為銳角等于60°的菱形。以此為參考,用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個(gè)晶胞的底面
?cdhi
?cdhi
、
?bcfe
?bcfe
。