如圖所示為某實(shí)驗(yàn)裝置圖。離子源S在開口處不斷出射初速度為v₀，方向沿x軸正向，電荷量為q、質(zhì)量為m的正離子。Ⅰ區(qū)充滿著沿y軸正方向的場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)，其左邊界過離子源S的開口處且平行于y軸，右邊界與y軸重合。離子經(jīng)Ⅰ區(qū)電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后，由C點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)，此時(shí)速度方向與x軸正向成θ角。Ⅱ區(qū)充滿兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其中CD上方磁場(chǎng)垂直紙面向外，CD下方磁場(chǎng)垂直紙面向里，兩磁場(chǎng)左邊界均與y軸重合，右邊界與x軸垂直交于O₁點(diǎn)，寬度為L。離子經(jīng)磁場(chǎng)作用后恰好打到與C等高的D點(diǎn)。忽略離子間的相互作用及離子的重力。
（1）求離子在Ⅰ區(qū)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t；
（2）求Ⅱ區(qū)內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大?。?br />（3）若把Ⅰ區(qū)的勻強(qiáng)電場(chǎng)替換成垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，能否使離子仍然從C點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)，若能，求此勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B'的大小，若不能請(qǐng)說明理由。