半導(dǎo)體晶體是半導(dǎo)體工業(yè)的主要基礎(chǔ)原料，第一代半導(dǎo)體代表材料是鍺（Ge）單晶和硅單晶（Si），他們的出現(xiàn)實現(xiàn)了超大規(guī)模集成電路，第二代砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體制成的激光器成為光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氮化鋁（AlN）等屬于第三代半導(dǎo)體材料，又被稱為高溫半導(dǎo)體材料。
（1）Ge的核外電子排布式為[Ar]，其能量最高的能級中電子的排布遵守 。
（2）第四周期第一電離能介于Ga和As之間的主族元素有 （寫元素符號），砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應(yīng)制得，AsH₃的空間構(gòu)型為 ，（CH₃）₃Ga中Ga的雜化方式為 。
（3）NH₃，PH₃，AsH₃還原性由大到小順序為 ，沸點由大到小順序為 ，鍵角由大到小順序為 ，鍵角變化規(guī)律的原因是 。
（4）碳化硅結(jié)構(gòu)與金剛石類似，C原子為面心立方堆積，Si原子填在C原子組成的四面體空隙中，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖并建立起圖示坐標(biāo)系，以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，已知頂點C的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），若將離原點最近的Si移至原點，則剩余三個Si的坐標(biāo)分別為 ，若晶胞密度為ρ g?cm^-3，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，則兩個最近的Si之間的距離為 pm（列出計算表達(dá)式）。

【考點】晶胞的計算；原子核外電子排布；泡利原理、洪特規(guī)則．

【答案】3d¹⁰4s²4p²；洪特規(guī)則；Ca、Ge、Se；三角錐形；sp²；AsH₃＞PH₃＞NH₃；NH₃＞AsH₃＞PH₃；NH₃、PH₃、AsH₃；中心原子電負(fù)性越大，與H原子之間的共用電子對離中心原子越近，成鍵電子對之間斥力越大，鍵角越大；（，，0）、（，0，）、（0，，）；××10¹⁰