某離子實(shí)驗(yàn)裝置的基本原理如圖所示，截面半徑為R的圓柱腔分為兩個(gè)工作區(qū)，Ⅰ區(qū)長度d=4R，內(nèi)有沿y軸正向的勻強(qiáng)電場，Ⅱ區(qū)內(nèi)既有沿z軸負(fù)向的勻強(qiáng)磁場，又有沿z軸正向的勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度與Ⅰ區(qū)電場等大?，F(xiàn)有一正離子從左側(cè)截面的最低點(diǎn)A處，以初速度v₀沿z軸正向進(jìn)入Ⅰ區(qū)，經(jīng)過兩個(gè)區(qū)域分界面上的B點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)，在以后的運(yùn)動(dòng)過程中恰好未從圓柱腔的側(cè)面飛出，最終從右側(cè)截面上的C點(diǎn)飛出，B點(diǎn)和C點(diǎn)均為所在截面處豎直半徑的中點(diǎn)（如圖中所示），已知離子質(zhì)量為m,電量為q,不計(jì)重力，求：
（1）電場強(qiáng)度的大?。?br />（2）離子到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度的大小；
（3）Ⅱ區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度大?。?br />（4）Ⅱ區(qū)的長度L應(yīng)為多大。