2019年8月13日中國科學(xué)家合成了首例缺陷誘導(dǎo)的晶態(tài)無機(jī)硼酸鹽單一組分白光材料Ba
2[Sn(OH)
6][B(OH)
4]
2并獲得了該化合物的LED器件,該研究結(jié)果有望為白光發(fā)射的設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供一個(gè)新的有效策略。
(1)已知Sn和Si同族,基態(tài)Sn原子價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有
3
3
種,基態(tài)氧原子的價(jià)層電子排布式不能表示為2s
22
2
,因?yàn)檫@違背了
洪特
洪特
(填選項(xiàng))。
A.泡利原理
B.洪特規(guī)則
C.能量最低原理
(2)[B(OH)
4]
-中硼原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
,[B(OH)
4]
-的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
。[Sn(OH)
6]
2-中,Sn與O之間的化學(xué)鍵不可能是
A
A
(填選項(xiàng))。
A.π鍵
B.σ鍵
C.配位鍵
D.極性鍵
(3)碳酸鋇、碳酸鎂分解溫度較低的是
MgCO3
MgCO3
,分解得到的金屬氧化物中,熔點(diǎn)較低的是BaO,其原因是
離子半徑越小,晶格能越大,物質(zhì)的熔點(diǎn)越高
離子半徑越小,晶格能越大,物質(zhì)的熔點(diǎn)越高
。
(4)超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體材料-砷化硼(BAs)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則1號砷原子的坐標(biāo)為
。已知阿伏加德羅常數(shù)的值為N
A,若晶胞中As原子到B原子最近距離為apm,則該晶體的密度為
g?cm
-3(列出含a、N
A的計(jì)算式即可)。