1．如圖甲所示為利用霍爾元件制作的位移傳感器。將霍爾元件置于兩塊磁性強弱相同、同名磁極相對放置的磁體正中間，以中間位置為坐標原點建立如圖乙所示的空間坐標系。當霍爾元件沿x軸方向移動到不同位置時，將產生不同的霍爾電壓U，通過測量電壓U就可以知道位移x。已知沿x軸方向磁感應強度大小B=kx（k為常數(shù)，且k＞0），電流I沿+z方向大小不變。該傳感器靈敏度為，要使該傳感器的靈敏度變大，下列措施可行的是（　?。?br />?

2．某興趣小組設計的測量大電流的裝置如圖所示，通有電流I的螺繞環(huán)在霍爾元件處產生的磁場B=k₁I，通有待測電流I'的直導線ab垂直穿過螺繞環(huán)中心，在霍爾元件處產生的磁場B'=k₂I'。調節(jié)電阻R，當電流表示數(shù)為I₀時，元件輸出霍爾電壓U_H為零，則待測電流I'的方向和大小分別為（　?。?br />

3．圖甲是判斷電流I₀大小是否發(fā)生變化的裝置示意圖。電流I₀在鐵芯中產生磁場，其磁感應強度與I₀成正比。現(xiàn)給某半導體材料制成的霍爾元件（如圖乙，其長、寬、高分別為a、b、d）通以恒定工作電流I，通過右側電壓表V的示數(shù)就能判斷I₀的大小是否發(fā)生變化。當I₀的變化量一定時，電壓表V的示數(shù)變化量越大，則該裝置判斷的靈敏度就越高。已知霍爾元件的半導體材料載流子為一價正離子，則下列說法正確的是（　?。?br />