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2021-2022學年浙江省寧波市鎮(zhèn)海中學高二(下)期末物理試卷
>
試題詳情
如圖所示,直角坐標系中,邊長為L的正方形區(qū)域OPSQ,OP、OQ分別與x軸、y軸重合,正方形內(nèi)的適當區(qū)域Ⅰ(圖中未畫出)中分布有勻強磁場。位于S處的粒子源,沿紙面向正方形區(qū)域內(nèi)各個方向均勻發(fā)射速率恒定的帶負電粒子,粒子的質(zhì)量為m、電荷量為-q。所有粒子均從S點進入磁場,離開區(qū)域Ⅰ磁場時速度方向均沿x軸正方向,其中沿y軸正方向射入磁場的粒子從O點射出磁場。y軸右側依次有勻強電場區(qū)域Ⅱ、無場區(qū)、勻強磁場區(qū)域Ⅲ,各區(qū)域沿y軸方向無限長,沿x軸方向的寬度分別為L、2.5L、1.5L。電場區(qū)域Ⅱ的左邊界在y軸上,電場方向沿y軸負方向;區(qū)域Ⅰ和區(qū)域Ⅲ內(nèi)磁場的磁感應強度大小均為B,方向均垂直紙面向里。區(qū)域Ⅲ左邊界上有長度為L的收集板CD,C端在x軸上。粒子打在收集板上即被吸收,并通過電流表導入大地。不計粒子的重力和相互作用,不考慮粒子對原有電場與磁場的影響。
(1)求所發(fā)射粒子的初速度v
0
;
(2)請在答題紙圖中畫出磁場分布的最小面積,并用陰影表示;
(3)調(diào)整電場強度大小E,為使從O點進入電場的粒子,最終能打到收集板的右側,求粒子在區(qū)域Ⅲ運動過程中的最大半徑;
(4)將電場強度大小E調(diào)到(3)中的最大值,已知從S處粒子源每秒射出粒子數(shù)為n,求經(jīng)過磁場打在收集板上的粒子對于板的垂直壓力。(結果可用反三角函數(shù)表示)
【考點】
帶電粒子由磁場進入電場中的運動
.
【答案】
見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/6 8:0:9
組卷:44
引用:1
難度:0.1
相似題
1.
半導體摻雜是集成電路生產(chǎn)中最基礎的工作,某公司開發(fā)的第一代晶圓摻雜機主要由三部分組成:離子發(fā)生器,控制器和標靶。簡化模型如圖所示,離子發(fā)生器產(chǎn)生電量為+q,質(zhì)量為m的離子,以足夠大速度v
0
沿電場的中央軸線飛入電場;控制器由靠得很近的平行金屬板A、B和相互靠近的兩個電磁線圈構成(忽略邊緣效應),極板A、B長為L
1
,間距為d,加上電壓時兩板間的電場可當作勻強電場,兩電磁線圈間的圓柱形磁場可以當作勻強磁場,磁感應強度與電流的關系B=kI,k為常數(shù),勻強電場與(柱形)勻強磁場的中軸線互相垂直相交,磁場橫截面的半徑為r
0
;標靶是半徑為R的單晶硅晶圓,并以晶圓圓心為坐標原點,建立Oxy正交坐標系。晶圓與勻強電場的中軸線垂直,與勻強磁場的中軸線平行,且與勻強電場中心和柱形勻強磁場中軸線的距離分別為L
2
和L
3
,其中R=
3
L
3
。U
AB
=0,I=0時,離子恰好打到晶圓的(0,0)點。
(1)當I=0,U
AB
=U
1
時,離子恰好能打到(0,-R)點,求U
1
的值。
(2)當U
AB
=0,I=I
1
時,離子能打到點(R,0),求I
1
的值。
(3)試導出離子打到晶圓上位置(x,y)與U
AB
和I的關系式。(提示:tanθ=
2
tan
θ
2
1
-
tan
2
θ
2
)
發(fā)布:2024/11/12 19:30:1
組卷:282
引用:3
難度:0.1
解析
2.
“太空粒子探測器”是安裝在國際空間站上的一種探測宇宙射線的試驗設備,由加速裝置、偏轉裝置和收集裝置三部分組成。其簡化原理圖如圖所示,兩個同心扇形圓弧面PQ、MN之間存在輻射狀的加速電場,方向由內(nèi)弧面指向外弧面,圓心為O,兩弧面間的電勢差為U,右側邊長為L的正方形邊界abcd內(nèi)存在垂直紙面向里的勻強磁場,其大小為B(可調(diào)節(jié)),O點為ad邊界的中點,PO、QO與ad邊界的夾角均為30°。假設太空中質(zhì)量為m、電荷量為e的帶負電粒子,均能均勻地吸附到外弧面PQ的右側面上,由靜止經(jīng)電場加速后穿過內(nèi)弧面均從O點進入磁場,不計粒子重力、粒子間的作用力及碰撞,下列說法正確的是( )
A.粒子到達O點時的速率
v
0
=
2
e
U
m
B.若從O點垂直于ad邊界射入磁場的粒子恰能從c點離開,則
B
=
5
4
L
2
m
U
e
C.若沿PO方向射入磁場的粒子恰好從d點射出磁場,此時
B
=
1
L
2
m
U
e
D.若要求外弧面PQ上所有的粒子均從cd邊射出磁場,則B值的取值范圍為
(
2
+
3
)
2
L
2
m
U
e
<
B
<
2
L
2
m
U
e
發(fā)布:2024/10/26 23:0:1
組卷:75
引用:1
難度:0.7
解析
3.
如圖所示,以棱長為L的正方體頂點O為原點建立三維坐標系Oxyz,其中正方體的頂點P落在x軸上,頂點Q落在y軸上。一質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電粒子(重力不計)由Q點沿x軸正方向以初速度v
0
射入正方體,第一次只加沿z軸負方向磁感應強度大小為B的勻強磁場,該粒子恰好能通過OQ的中點;第二次只加沿y軸負方向電場強度大小為E的勻強電場,該粒子恰好能通過OP的中點;第三次同時加上與前兩次等大的磁場和電場,其中磁場方向不變,將電場方向調(diào)整為與yOz平面平行,與z軸正方向成30°角、與y軸正方向成60°角。則( ?。?/h2>
A.第一次和第二次該粒子在正方體內(nèi)運動的時間相等
B.電場強度和磁感應強度的大小滿足E=v
0
B
C.第三次該粒子的運動為勻變速曲線運動
D.第三次該粒子離開正方體時的位置坐標為(L,L,L)
發(fā)布:2024/11/9 5:0:1
組卷:118
引用:1
難度:0.6
解析
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