半導(dǎo)體芯片的發(fā)明促進了人類信息技術(shù)的發(fā)展,單晶硅、砷化鎵(GaAs)、碳化硅等是制作半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料,也是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。請回答以下問題:
(1)上述材料所涉及的四種元素中電負性最小的元素是
Ga
Ga
(填元素符號),基態(tài)砷原子價層電子的軌道表達式為
,和As位于同一周期,且未成對電子數(shù)也相同的元素還有
2
2
種。
(2)SiCl
4是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體,沸點57.6℃,可混溶于苯、氯仿等有機溶劑,則SiCl
4晶體類型為
分子晶體
分子晶體
,熔化時克服的作用力是
分子間作用力
分子間作用力
。其中Si采取的雜化類型為
sp3
sp3
?;衔颪(CH
3)
3和N(SiH
3)
3的結(jié)構(gòu)如圖1所示,更易形成配合物的是
N(CH3)3
N(CH3)3
,判斷理由是
N(CH3)3中氮原子具有孤對電子,N(SiH3)3中氮原子沒有孤對電子
N(CH3)3中氮原子具有孤對電子,N(SiH3)3中氮原子沒有孤對電子
。
(3)β-SiC的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm,密度為ρg?cm
-3,晶胞中4個C構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體形
正四面體形
,其原子的空間利用率(即晶胞中原子體積占空間體積的百分率)為
。