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新型半導體材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等在國防技術、航空航天及5G技術等領域扮演著重要的角色?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Si原子中,核外電子占據(jù)的最高能層的符號為
M
M
,占據(jù)最高能級的電子的電子云輪廓圖形狀為
啞鈴形
啞鈴形
;基態(tài)Ga原子的核外電子排布為[Ar]3d104s2p1,其轉化為下列激發(fā)態(tài)時,吸收能量最少的是
B
B
(填選項字母)。
A.[Ar]菁優(yōu)網(wǎng)
B.[Ar]菁優(yōu)網(wǎng)
C.[Ar]菁優(yōu)網(wǎng)
D.[Ar]菁優(yōu)網(wǎng)
(2)C與Si是同主族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Si原子之間難以形成雙鍵、叁鍵。從原子結構分析,其原因為
Si原子半徑大,原子之間形成的σ鍵鍵長較長,p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊,難以形成π鍵
Si原子半徑大,原子之間形成的σ鍵鍵長較長,p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊,難以形成π鍵
。
(3)硼(B)與Ga是同主族元素,硼氫化鈉(NaBH4)是有機合成中重要的還原劑,其陰離子
BH
-
4
的立體構型為
正四面體結構
正四面體結構
;另一種含硼陰離子的結構如圖所示,其中B原子的雜化方式為
sp2、sp3
sp2、sp3
。
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(4)GaCl3的熔點為77.9℃,GaF3的熔點為1000℃,試分析GaCl3熔點低于GaF3的原因為
GaCl3為分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,GaF3的熔點為1000℃,為離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵強于分子間作用力
GaCl3為分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,GaF3的熔點為1000℃,為離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵強于分子間作用力
;氣態(tài)GaCl3常以二聚體形式存在,二聚體中各原子均滿足8e-結構,據(jù)此寫出二聚體的結構式為
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。
(5)B和Mg形成的化合物刷新了金屬化合物超導溫度的最高記錄。該化合物的晶體結構單元如圖所示,其中Mg原子間形成正六棱柱,6個B原子分別位于六個三棱柱體心。則該化合物的化學式可表示為
MgB2
MgB2
;相鄰B原子與Mg原子間的最短距離為
x
2
3
+
y
2
4
x
2
3
+
y
2
4
nm(用含x、y的代數(shù)式表示)。
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【答案】M;啞鈴形;B;Si原子半徑大,原子之間形成的σ鍵鍵長較長,p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊,難以形成π鍵;正四面體結構;sp2、sp3;GaCl3為分子晶體,熔化時破壞分子間作用力,GaF3的熔點為1000℃,為離子晶體,熔化時破壞離子鍵,離子鍵強于分子間作用力;菁優(yōu)網(wǎng);MgB2;
x
2
3
+
y
2
4
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/7/17 8:0:9組卷:34引用:2難度:0.4
相似題
  • 1.(1)已知MgO的晶體結構屬于NaCl型,MgO晶胞中Mg2+的配位數(shù)為
     
    ;與O2-距離最近的O2-
     
    個,某同學畫出的MgO晶胞結構示意圖如圖1所示,請指出其中錯誤的是
     

    (2)鋁單質的晶胞結構如圖甲所示,原子之間相對位置關系的平面圖如圖丙所示.
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    若已知鋁原子半徑為d cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù),鋁的摩爾質量為M g/mol,則該晶體的密度可表示為
     
    g/cm3.(填化簡結果).
    (3)氫能被視作連接化石能源和可再生能源的重要橋梁;氫的規(guī)?;瘍\是氫能應用的關鍵.氨硼烷化合物(NH3BH3)是最近密切關注的一種新型化學氫化物儲氫材料.請寫出含有配位鍵(用“一”表示)的氨硼烷的結構式
     
    ;與氨硼烷互為等電子體的有機小分子是
     
     (寫結構簡式).

    發(fā)布:2024/11/14 8:0:1組卷:54引用:1難度:0.3
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.文藝復興時期,群青顏料曾用在許多著名的油畫上,當時群青顏料是由貴重的青金石研磨制成的。青金石是指堿性鋁硅酸鹽礦物,其中含鈉、鋁、硅、硫、氯、氧等元素。
    (1)硅元素基態(tài)原子的價電子規(guī)道表示式為
     
    。
    (2)第四周期中,與鋁未成對電子數(shù)相同的金屬元素有
     
    種。
    (3)Na+和Ne互為等電子體,電離能I2(Na)
     
    I1(Ne)>(填(填“>”或“<”)
    (4)①已知氯有多種含氧酸,其電離平衡常數(shù)如表:
    化學式 HClO4 HClO3 HClO2 HClO
    Ka 1×1010 1×101 1×10-2 1×10-5
    HClO4的結構式為
     
    HClO3中Cl原子的雜化軌道類型為
     
    。
    HClO2中含有的共價鍵類型為
     
    。以上幾種含氧酸的酸性不同,其原因為
     
    (從分子結構的角度)。
    ②氫鹵酸(HX)的電離過程如圖?!鱄1和△H2的遞變規(guī)律 HF>HCl>HBr>HI,其中△H1 (HF)特別大的原因為
     
    ,影響△H2遞變的因素為
     

    (5)鋁單質為面心立方晶體,晶胞參數(shù)a=qnm,鋁的摩爾質量為Mgg?mol-1,原子半徑為rpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA.則鋁單質的密度為
     
    g?cm-3(列式即可,下同)鋁晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為
     
    。

    發(fā)布:2024/11/14 8:0:1組卷:6引用:1難度:0.4
  • 3.Q、R、X、Y、Z是短周期元素,原子序數(shù)依次增大.Q的基態(tài)原子最外層s軌道和p軌道電子數(shù)相等;R的一種氫化物是常見的堿性氣體;X在同周期元素中,其氧化物的水化物是最強的堿;Y的一種氧化物能使品紅溶液褪色;Z的最高價氧化物的水化物是最強的酸.
    請回答下列問題:
    (1)R位于元素周期表中第
     
    周期,第
     
    族.
    (2)Q形成的最高價氧化物分子是
     
    (填“極性”或“非極性”)分子,中心原子的雜化軌道類型是
     

    (3)Y、Z的氫化物中,穩(wěn)定性較強的是
     
    (填氫化物的化學式).
    (4)X單質的晶體的晶胞示意圖是
     
    (填字母編號).
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    (5)Y的最高價含氧酸根Y2O82-中,Y和Y之間有一過氧鍵,該酸根具有極強的氧化性,在Ag+的催化下,能將酸性介質中的Mn2+氧化成MnO4-,而Y的價態(tài)不變,該反應的離子方程式是
     

    發(fā)布:2024/11/14 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.5
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