近日，清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極，通過(guò)石墨烯側(cè)向電場(chǎng)來(lái)控制垂直的MoS₂溝道的開(kāi)關(guān)，首次制備出亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管。這一成就的重大意義在于，有望讓中國(guó)科學(xué)家在提升芯片性能的研究中實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)。這一事例表明（　?。?br />①柵極的長(zhǎng)度與芯片性能之間的人為聯(lián)系具有客觀(guān)性
②芯片研發(fā)說(shuō)明經(jīng)過(guò)實(shí)踐反復(fù)檢驗(yàn)的真理才不會(huì)被推翻
③人們對(duì)亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管的認(rèn)識(shí)受客觀(guān)條件限制
④亞1納米柵極是科研人員發(fā)揮主觀(guān)能動(dòng)性創(chuàng)造出的新物質(zhì)

【考點(diǎn)】聯(lián)系的客觀(guān)性；認(rèn)識(shí)的反復(fù)性 無(wú)限性和上升性．

【答案】A