半導(dǎo)體材料的發(fā)展帶動(dòng)了科技的進(jìn)步，如傳統(tǒng)半導(dǎo)體Si、Ge,新型半導(dǎo)體GaAs、AlN、GaN等?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Ge原子的價(jià)電子排布式為

4s²4p²

4s²4p²

，與其同周期的第ⅢB族元素屬于

d

d

區(qū)。
（2）根據(jù)元素周期律可判知：原子半徑Al

＞

＞

N（填“＞”或“＜”，下同），還原性As^3-

＞

＞

Br^-。
（3）Ga、Ge、As的第一電離能由大到小的順序?yàn)?

As＞Ge＞Ga

As＞Ge＞Ga

。Ge、As的常見(jiàn)化合物有GeCl₄、AsH₃、AsCl₅，其中呈正四面體結(jié)構(gòu)的是

GeCl₄

GeCl₄

。
（4）AlN結(jié)構(gòu)中只存在N-Al鍵，每個(gè)原子周圍都滿足8e^-結(jié)構(gòu)，AlN中

存在

存在

（填“存在”或“不存在”）配位鍵。
（5）Si與C是同主族相鄰元素，C原子之間可以形成雙鍵、三鍵，但Si原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析其原因

Si原子半徑大于C，“頭碰頭”形成單鍵后，再“肩并肩”原子軌道的重疊程度小，不能形成穩(wěn)定的π鍵，即難以形成形成雙鍵或三鍵

Si原子半徑大于C，“頭碰頭”形成單鍵后，再“肩并肩”原子軌道的重疊程度小，不能形成穩(wěn)定的π鍵，即難以形成形成雙鍵或三鍵

。