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2023年重慶市長(zhǎng)壽中學(xué)高考化學(xué)模擬試卷(3月份)
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試題詳情
單晶邊緣納米催化劑技術(shù)為工業(yè)上有效利用二氧化碳提供了一條經(jīng)濟(jì)可行的途徑,其中單晶氧化鎂負(fù)載鎳催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的抗積碳和抗燒結(jié)性能。
(1)基態(tài)鎳原子的價(jià)層電子排布圖為
。
(2)氧化鎂載體及鎳催化反應(yīng)中涉及到CH
4
、CO
2
和CH
3
OH等物質(zhì)。元素Mg、O和C的第一電離能由小到大排序?yàn)?
Mg<C<O
Mg<C<O
;在上述三種物質(zhì)的分子中碳原子雜化類型不同于其他兩種的是
CO
2
CO
2
,立體構(gòu)型為正四面體的分子是
CH
4
CH
4
,三種物質(zhì)中沸點(diǎn)最高的是CH
3
OH,其原因是
甲醇為極性分子,且甲醇分子間能形成氫鍵
甲醇為極性分子,且甲醇分子間能形成氫鍵
。
(3)Ni與CO在60~80℃時(shí)反應(yīng)生成Ni(CO)
4
氣體,在Ni(CO)
4
分子中與Ni形成配位鍵的原子是
C
C
,Ni(CO)
4
晶體類型是
分子晶體
分子晶體
。
(4)已知MgO具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖所示。已知MgO晶胞棱長(zhǎng)為0.42nm,則MgO的密度為
3.6
3.6
g?cm
-3
(保留小數(shù)點(diǎn)后一位,下同);相鄰Mg
2+
之間的最短距離為
0.30
0.30
nm。(已知
2
=1.414,
3
=1.732)。
【考點(diǎn)】
晶胞的計(jì)算
;
原子核外電子排布
;
原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
;
元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用
.
【答案】
;Mg<C<O;CO
2
;CH
4
;甲醇為極性分子,且甲醇分子間能形成氫鍵;C;分子晶體;3.6;0.30
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
組卷:101
引用:2
難度:0.3
相似題
1.
鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為
。
(2)LiGaH
4
是一種溫和的還原劑,其可由GaCl
3
和過量的LiH反應(yīng)制得:GaCl
3
+4LiH=LiGaH
4
+3LiCl。
①已知GaCl
3
的熔點(diǎn)為77.9℃,LiCl的熔點(diǎn)為605℃,兩者熔點(diǎn)差異較大的原因?yàn)?
。
②[GaH
4
]
-
的立體構(gòu)型為
。
(3)一種含鎵的藥物合成方法如圖所示:
①化合物Ⅰ中環(huán)上C原子的雜化方式為
,1mol化合物Ⅰ中含有的σ鍵的物質(zhì)的量為
?;衔铫裰兴氐碾娯?fù)性由大到小的順序?yàn)?
(用元素符號(hào)表示)。
②化合物Ⅱ中Ga的配位數(shù)為
,x=
。
(4)Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
①上述晶胞沿著a軸的投影圖為
(填選項(xiàng)字母)。
②用N
A
表示阿伏加德羅常數(shù)的值,晶胞參數(shù)為a=b=3.0×10
-10
m,c=3.86×10
-10
m,則其密度為
g?cm
-3
(列出計(jì)算式即可)。
發(fā)布:2024/11/10 15:0:1
組卷:36
引用:1
難度:0.5
解析
2.
云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外,曾主要用于造幣,亦可用于制作仿銀飾品。硫酸鎳與硫酸銅類似,向其中加入足量氨水同樣可以形成[Ni(NH
3
)
6
]SO
4
藍(lán)色溶液。完成下列填空。
(1)在[Ni(NH
3
)
6
]SO
4
中Ni
2+
與NH
3
之間形成的化學(xué)鍵是
,該物質(zhì)中配位數(shù)是
。
(2)在NH
3
分子中,中心原子的雜化形式是
,在SO
3
分子中,中心原子的雜化形式是
。
(3)氨的沸點(diǎn)高于膦(PH
3
)的沸點(diǎn),原因是
。
(4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為
,若合金的密度為dg?cm
-3
,該立方晶胞的邊長(zhǎng)為
cm。
(5)分子N
2
H
2
可用HN=NH表示其結(jié)構(gòu),推測(cè)其分子中σ鍵與π鍵之比為
。推測(cè)該物質(zhì)中N-H鍵與N=N鍵之間的鍵角約為
。
發(fā)布:2024/11/10 20:0:2
組卷:49
引用:1
難度:0.6
解析
3.
氮及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中用途廣泛。
(1)基態(tài)氮原子的外圍電子軌道表示式為
;與N同周期的主族元素中,電負(fù)性大于N的有
種。
(2)在高壓下,氮?dú)鈺?huì)聚合生成高聚氮。在高聚氮晶體中,每個(gè)氮原子都通過三個(gè)單鍵與其它氮原子結(jié)合并向空間發(fā)展,構(gòu)成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。已知該晶體中N-N的鍵能為160kJ/mol,而氮?dú)庵蠳≡N的鍵能為942kJ/mol,則1molN
2
聚合生成高聚氮能量變化是
kJ。
(3)NaN
3
在強(qiáng)烈撞擊的情況下快速分解并產(chǎn)生大量氮?dú)猓捎糜谄嚢踩珰饽业闹圃?。寫出一種與
N
-
3
互為等電子體的分子的化學(xué)式:
,
N
-
3
的空間構(gòu)型為
。
(4)據(jù)報(bào)道美國(guó)科學(xué)家合成了一種名為“N
5
”的物質(zhì),具有極強(qiáng)的爆炸性,又稱為“鹽粒炸彈”。“N
5
”實(shí)際上是帶正電荷的分子碎片,其結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的,5個(gè)N排成V形。如果5個(gè)N結(jié)合后都達(dá)到8電子結(jié)構(gòu),且含有2個(gè)N≡N鍵。則“N
5
”分子碎片所帶電荷是
個(gè)單位正電荷。
(5)我國(guó)科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽(N
5
)
6
(H
3
O)
3
(NH
4
)
4
Cl(用R代表)。經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu),其局部結(jié)構(gòu)如圖1所示。
①分子中的大π鍵可用符號(hào)Π
m
n
表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為Π
6
6
),已知
N
-
5
為平面結(jié)構(gòu)且含有大π鍵,則
N
-
5
中的大π鍵應(yīng)表示為
。
②圖中虛線代表氫鍵,其表示式為(
NH
+
4
)N-H???Cl、(
NH
+
4
)N-H???N(
N
-
5
)、
。
(6)用干燥的液氨作用于S
2
Cl
2
的CCl
4
溶液中可制S
4
N
4
(結(jié)構(gòu)如圖2),化學(xué)反應(yīng)方程為:6S
2
Cl
2
+16NH
3
=S
4
N
4
+S
8
+12NH
4
Cl。上述反應(yīng)過程中,沒有破壞或形成的微粒間作用力是
。
A.離子鍵
B.配位鍵
C.金屬鍵
D.氫鍵
E.范德華力
F.極性鍵
G.非極性鍵
發(fā)布:2024/11/10 2:30:1
組卷:29
引用:1
難度:0.5
解析
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