如圖，圖中A、B、C、D四條曲線分別表示ⅣA、ⅤA、ⅥA、ⅦA族元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)，其中表示ⅥA族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)的是曲線
A
A
，表示ⅣA族元素氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)的是曲線
D
D
；同一族中第三、四、五周期元素的氣態(tài)氫化物沸點(diǎn)依次升高，其原因是
組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，隨著相對分子質(zhì)量增大，范德華力增大，沸點(diǎn)升高
組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，隨著相對分子質(zhì)量增大，范德華力增大，沸點(diǎn)升高
。曲線中第二周期元素的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)顯著高于第三周期元素氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)，其原因是
分子間存在氫鍵
分子間存在氫鍵
。

【答案】A；D；組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)，隨著相對分子質(zhì)量增大，范德華力增大，沸點(diǎn)升高；分子間存在氫鍵

【解答】

【點(diǎn)評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：88引用：4難度：0.5

相似題

3．根據(jù)元素周期律，由下列事實(shí)進(jìn)行歸納推測，推測不合理的是（　?。?br />

選項(xiàng) 事實(shí) 推測

A ₁₂Mg與水反應(yīng)緩慢，₂₀Ca與水反應(yīng)較快 ₅₆Ba與水反應(yīng)會更快

B Si是半導(dǎo)體材料，同族的Ge也是半導(dǎo)體材料第ⅣA族元素的單質(zhì)都可作半導(dǎo)體材料

C HCl在1500℃時(shí)分解，HI在230℃時(shí)分解 HBr的分解溫度介于二者之間

D Si與H₂高溫時(shí)反應(yīng)，S與H₂加熱能反應(yīng) P與H₂在高溫時(shí)能反應(yīng)

A．A

B．B

C．C

D．D

發(fā)布：2024/10/31 4:30:1組卷：53引用：3難度：0.7

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選項(xiàng)	事實(shí)	推測
A	₁₂Mg與水反應(yīng)緩慢，₂₀Ca與水反應(yīng)較快	₅₆Ba與水反應(yīng)會更快
B	Si是半導(dǎo)體材料，同族的Ge也是半導(dǎo)體材料	第ⅣA族元素的單質(zhì)都可作半導(dǎo)體材料
C	HCl在1500℃時(shí)分解，HI在230℃時(shí)分解	HBr的分解溫度介于二者之間
D	Si與H₂高溫時(shí)反應(yīng)，S與H₂加熱能反應(yīng)	P與H₂在高溫時(shí)能反應(yīng)