GaN是制造芯片的新型半導體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）鎵為第四周期的元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

。
（2）N、Si、P的電負性由強到弱順序為

N＞P＞Si

N＞P＞Si

（元素符號表示，下同）；C、N、O的第一電離能由大到小順序為

N＞O＞C

N＞O＞C

；N₂O的空間構型為

直線型

直線型

。
（3）芯片制造中用到光刻膠，可由不飽和物質甲基丙烯酸甲酯（）、馬來酸酐（）等通過加聚反應制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的軌道雜化類型為

sp²、sp³

sp²、sp³

，馬來酸酐分子中，σ鍵和π鍵個數比為

3：1

3：1

。
（4）GaN、GaP、GaAs的結構類似于金剛石，熔點如表所示：

物質	GaN	GaP	GaAs
熔點/℃	1700	1480	1238

請分析三者熔點變化的原因

GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價鍵鍵長逐漸增大，所以熔點逐漸下降

GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價鍵鍵長逐漸增大，所以熔點逐漸下降

。
（5）GaAs的晶胞結構如圖甲。將Mn摻雜到GaAs的晶體中得到稀磁性半導體材料（圖乙）。圖甲、圖乙晶體結構不變。

①圖甲中，Ga原子的配位數為

4

4

，若GaAs晶體密度為ρ g?cm³，相對分子質量為M，N_A表示阿伏加德羅常數的數值，則晶胞中距離最近的兩個Ga原子間距離為

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

nm。
②圖乙中a、b的坐標分別為（0，0，0）和（1，1，0），則c點Mn的原子坐標為

（

0

，

1

2

，

1

2

）

（

0

，

1

2

，

1

2

）

。摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個數比為

5：27：32

5：27：32

。