光刻膠作為集成電路制作過程中的關(guān)鍵材料,它的技術(shù)水平直接決定了集成電路制作工藝的成敗。感光劑Ⅰ與化合物Ⅱ在堿性條件下反應(yīng),生成化合物Ⅲ是某光刻膠工藝的一個(gè)環(huán)節(jié)。
化合物Ⅲ中的D為
回答下列問題:
(1)基態(tài)氮原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式為 。
(2)物質(zhì)Ⅱ中除H元素外,其它元素均位于元素周期表的 pp區(qū)。
(3)NH3、CH4、H2S中鍵長(zhǎng)最長(zhǎng)的是 H2SH2S,其分子空間結(jié)構(gòu)為 VV形。
(4)下列說法正確的是 ACAC(填選項(xiàng)字母)。
A.在Ⅰ中C原子全部采取sp2雜化
B.在Ⅱ中Cl元素的電負(fù)性最大
C.在Ⅱ的=N2基團(tuán)中,存在配位鍵
D.在Ⅲ中硫氧鍵的鍵能均相等
(5)光刻膠原理是利用反應(yīng)前后,不同物質(zhì)在刻蝕液中溶解性的差異,形成不同的圖形。化合物Ⅰ與化合物Ⅲ相比,水溶性較好的是 ⅠⅠ,原因是 化合物I含有多個(gè)羥基,可以與水分子間形成氫鍵化合物I含有多個(gè)羥基,可以與水分子間形成氫鍵。
(6)C3-60能與K′形成超分子加合物,如圖所示,該晶胞中K+的數(shù)目為 1212,已知晶胞參數(shù)為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶胞的密度為 39×12+60×12×3NA×a339×12+60×12×3NA×a3 g/cm3(列出計(jì)算式即可)。
C
3
-
60
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【答案】;p;H2S;V;AC;Ⅰ;化合物I含有多個(gè)羥基,可以與水分子間形成氫鍵;12;
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/7/25 8:0:9組卷:1引用:1難度:0.6
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1.生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
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②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
(2)石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示.若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接,其總面積約為
(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O3)2]而溶解。
步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是( ?。?/h2>發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法中錯(cuò)誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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