第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常稱為高溫半導(dǎo)體材料。回答下列問題：
（1）基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為
，第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有33種。
（2）HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為1：11：1，其中σ鍵的對稱方式為軸對稱軸對稱。與CN-互為等電子體的分子為COCO。
（3）NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為spsp。NF3的空間構(gòu)型為三角錐形三角錐形。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低。
| GaN | GaP | GaAs | |
| 熔點(diǎn) | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為
12
12
；②GaN的密度為
84
2
N
A
×
a
3
84
2
N
A
×
a
3
【答案】；3；1：1；軸對稱；CO；sp；三角錐形；GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As，鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As，故GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低；12；
；3；1：1；軸對稱；CO；sp；三角錐形；GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As，鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As，故GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)依次降低；12；84
2
N
A
×
a
3
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：90引用：3難度：0.3
相似題
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1．生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個(gè)．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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