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2021年四川省遂寧市射洪中學高考化學模擬試卷(六)

發(fā)布:2024/10/28 12:30:2

一、選擇題:本題共7小題,每小題6分。在每小題給出的四個選項中,第1~7題只有一項符合題目要求。全部選對的得6分,選對但不全的得3分,有選錯或不答的得0分。

  • 1.化學與生活密切相關,下列說法錯誤的是( ?。?/h2>

    組卷:96引用:2難度:0.8
  • 2.NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是(  )

    組卷:64引用:2難度:0.8
  • 3.下列對有機物的描述正確的是( ?。?/h2>

    組卷:101引用:2難度:0.7
  • 4.短周期元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增加,其中只有Z為金屬元素,X、W為同一主族元素,X元素原子的L層電子是K層的兩倍;點燃條件下,Z的單質在 X與Y形成的最高價化合物甲中能發(fā)生反應生成化合物乙和X的單質。下列判斷錯誤的是( ?。?/h2>

    組卷:41引用:2難度:0.6

(二)選考題:共15分。請考生從2道化學題中任選一題作答。如果多做,則按所做的第一題計分?!净瘜W一選修3:物質結構與性質】

  • 11.第三代半導體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常稱為高溫半導體材料?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)Ga原子價層電子的軌道表達式為
     
    ,第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有
     
    種。
    (2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為
     
    ,其中σ鍵的對稱方式為
     
    。與CN-互為等電子體的分子為
     
    。
    (3)NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學成分,其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為
     
    。NF3的空間構型為
     
    。
    (4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半導體材料,晶體類型與晶體硅類似,熔點如下表所示,分析其變化原因
     
    。
    GaN GaP GaAs
    熔點 1700℃ 1480℃ 1238℃
    (5)GaN晶胞結構如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA
    ①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為
     
    ;
    ②GaN的密度為
     
    g?cm-3(用a、NA表示)。
    菁優(yōu)網(wǎng)

    組卷:90引用:3難度:0.3

【化學一選修5:有機化學基礎】

  • 12.某化合物H的合成路線如下:
    菁優(yōu)網(wǎng)
    已知CH≡CH在NaNH2液氨條件下可生成CH≡CNa或NaC≡CNa
    (1)A的化學名稱是
     
    ,B→C的反應類型是
     

    (2)D→E的反應試劑、條件是
     
    ,F(xiàn)中不含氧官能團名稱是
     

    (3)H的分子式是
     

    (4)F→G的化學方程式是
     

    (5)W是E的同系物,比E少一個碳原子,則符合下列條件的W的同分異構體的結構簡式是
     
    (寫一種)
    ①有兩種官能團
    ②遇FeCl3溶液顯紫色
    ③核磁共振氫譜有五組峰,峰面積之比是3:2:2:2:1
    (6)依據(jù)上述題目信息,寫出用乙醛和乙炔為原料,制備化合物菁優(yōu)網(wǎng)的合成路線(無機試劑任選)。

    組卷:19引用:2難度:0.5
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