當(dāng)前位置： 2019-2020學(xué)年福建省泉州市四校高二（下）期中化學(xué)試卷> 試題詳情

第二代半導(dǎo)體材料[（Ⅲ～Ⅴ）A族化合物]的特殊性能使之成為科學(xué)家的研究熱點(diǎn)之一。
（1）基態(tài)鎵原子的價(jià)電子排布式為
。
（2）N、P、As位于同一主族，基態(tài)磷原子的核外共有
15
15
種不同運(yùn)動狀態(tài)的電子，NO₃^-的空間構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
，NH₄NO₃中N原子的雜化方式為
sp³、sp²
sp³、sp²
，與N₂O互為等電子體的分子有
CO₂
CO₂
（填一種即可）。
（3）Na、Mg、Al三種元素中，按第一電離能由大到小的順序是
Mg＞Al＞Na
Mg＞Al＞Na
。
（4）氮化硼、氮化鋁、氮化鎵的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點(diǎn)如表所示：

物質(zhì) BN AlN GaN

熔點(diǎn)/℃ 3000 2200 1700

試從結(jié)構(gòu)的角度分析它們?nèi)埸c(diǎn)不同的原因
氮化硼、氮化鋁、氮化鎵都是原子晶體，B、Al、Ga的原子半徑依次增大，故鍵長依次增大，鍵能依次降低，熔點(diǎn)依次降低
氮化硼、氮化鋁、氮化鎵都是原子晶體，B、Al、Ga的原子半徑依次增大，故鍵長依次增大，鍵能依次降低，熔點(diǎn)依次降低

（5）磷化鋁晶胞如圖所示，P原子的配位數(shù)為
4
4
，若兩個(gè)鋁原子之間的最近距離為dpm,N_A代表阿伏加德羅常數(shù)的值，則磷化鋁晶體的密度ρ=
58
2
×
1
0
30
d
3
N
A
58
2
×
1
0
30
d
3
N
A
g?cm^-3。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子核外電子排布．

【答案】

；15；平面三角形；sp³、sp²；CO₂；Mg＞Al＞Na；氮化硼、氮化鋁、氮化鎵都是原子晶體，B、Al、Ga的原子半徑依次增大，故鍵長依次增大，鍵能依次降低，熔點(diǎn)依次降低；4；

【解答】

【點(diǎn)評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：4引用：1難度：0.5

相似題

1．鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用。回答下列問題：
（1）基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為

。
（2）LiGaH₄是一種溫和的還原劑，其可由GaCl₃和過量的LiH反應(yīng)制得：GaCl₃+4LiH=LiGaH₄+3LiCl。
①已知GaCl₃的熔點(diǎn)為77.9℃，LiCl的熔點(diǎn)為605℃，兩者熔點(diǎn)差異較大的原因?yàn)?

。
②[GaH₄]^-的立體構(gòu)型為

。
（3）一種含鎵的藥物合成方法如圖所示：

①化合物Ⅰ中環(huán)上C原子的雜化方式為

，1mol化合物Ⅰ中含有的σ鍵的物質(zhì)的量為

?；衔铫裰兴氐碾娯?fù)性由大到小的順序?yàn)?

（用元素符號表示）。
②化合物Ⅱ中Ga的配位數(shù)為

，x=

。
（4）Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：

①上述晶胞沿著a軸的投影圖為

（填選項(xiàng)字母）。

②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，晶胞參數(shù)為a=b=3.0×10^-10m,c=3.86×10^-10m,則其密度為

g?cm^-3（列出計(jì)算式即可）。
發(fā)布：2024/11/10 15:0:1組卷：36引用：1難度：0.5
解析
2．云南鎳白銅（銅鎳合金）聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品。硫酸鎳與硫酸銅類似，向其中加入足量氨水同樣可以形成[Ni（NH₃）₆]SO₄藍(lán)色溶液。完成下列填空。
（1）在[Ni（NH₃）₆]SO₄中Ni²⁺與NH₃之間形成的化學(xué)鍵是

，該物質(zhì)中配位數(shù)是

。
（2）在NH₃分子中，中心原子的雜化形式是

，在SO₃分子中，中心原子的雜化形式是

。
（3）氨的沸點(diǎn)高于膦（PH₃）的沸點(diǎn)，原因是

。
（4）某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為

，若合金的密度為dg?cm^-3，該立方晶胞的邊長為

cm。
（5）分子N₂H₂可用HN=NH表示其結(jié)構(gòu)，推測其分子中σ鍵與π鍵之比為

。推測該物質(zhì)中N-H鍵與N=N鍵之間的鍵角約為

。
發(fā)布：2024/11/10 20:0:2組卷：49引用：1難度：0.6
解析
3．氮及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中用途廣泛。
（1）基態(tài)氮原子的外圍電子軌道表示式為

；與N同周期的主族元素中，電負(fù)性大于N的有

種。
（2）在高壓下，氮?dú)鈺酆仙筛呔鄣Ｔ诟呔鄣w中，每個(gè)氮原子都通過三個(gè)單鍵與其它氮原子結(jié)合并向空間發(fā)展，構(gòu)成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。已知該晶體中N-N的鍵能為160kJ/mol,而氮?dú)庵蠳≡N的鍵能為942kJ/mol,則1molN₂聚合生成高聚氮能量變化是

kJ。
（3）NaN₃在強(qiáng)烈撞擊的情況下快速分解并產(chǎn)生大量氮?dú)?，可用于汽車安全氣囊的制造。寫出一種與
N
-
3
互為等電子體的分子的化學(xué)式：

，
N
-
3
的空間構(gòu)型為

。
（4）據(jù)報(bào)道美國科學(xué)家合成了一種名為“N₅”的物質(zhì)，具有極強(qiáng)的爆炸性，又稱為“鹽粒炸彈”。“N₅”實(shí)際上是帶正電荷的分子碎片，其結(jié)構(gòu)是對稱的，5個(gè)N排成V形。如果5個(gè)N結(jié)合后都達(dá)到8電子結(jié)構(gòu)，且含有2個(gè)N≡N鍵。則“N₅”分子碎片所帶電荷是

個(gè)單位正電荷。
（5）我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽（N₅）₆（H₃O）₃（NH₄）₄Cl（用R代表）。經(jīng)X射線衍射測得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖1所示。

①分子中的大π鍵可用符號Π_mⁿ表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)（如苯分子中的大π鍵可表示為Π₆⁶），已知
N
-
5
為平面結(jié)構(gòu)且含有大π鍵，則
N
-
5
中的大π鍵應(yīng)表示為

。
②圖中虛線代表氫鍵，其表示式為（
NH
+
4
）N-H???Cl、（
NH
+
4
）N-H???N（
N
-
5
）、

。
（6）用干燥的液氨作用于S₂Cl₂的CCl₄溶液中可制S₄N₄（結(jié)構(gòu)如圖2），化學(xué)反應(yīng)方程為：6S₂Cl₂+16NH₃=S₄N₄+S₈+12NH₄Cl。上述反應(yīng)過程中，沒有破壞或形成的微粒間作用力是

。
A．離子鍵
B．配位鍵
C．金屬鍵
D．氫鍵
E．范德華力
F．極性鍵
G．非極性鍵
發(fā)布：2024/11/10 2:30:1組卷：29引用：1難度：0.5
解析

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