2022-2023學(xué)年寧夏銀川二中高二(上)期中化學(xué)試卷
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
一、選擇題(每題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意,每題2分,共30分)
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1.在單質(zhì)的晶體中,一定不存在( ?。?/h2>
組卷:73引用:13難度:0.9 -
2.下列有關(guān)分子的敘述正確的是( )
組卷:57引用:1難度:0.8 -
3.下表為第三周期元素X和Y的各級(jí)電離能數(shù)據(jù),單位是kJ?mol-1。下列判斷正確的是( ?。?br />
電離能 I1 I2 I3 I4 I5 X元素 738 1451 7733 10540 13630 Y元素 578 1817 2745 11575 14830 組卷:12引用:1難度:0.6 -
4.能夠用鍵能解釋的是( ?。?/h2>
組卷:53引用:10難度:0.7 -
5.下列說(shuō)法不正確的是( )
組卷:11引用:1難度:0.6 -
6.無(wú)機(jī)含氧酸可用通式(HO)nXOm來(lái)表示,如X是S,則m=2,n=2,則這個(gè)式子就表示H2SO4。一般而言,該式中m越大,酸性越強(qiáng)。下列各無(wú)機(jī)含氧酸中酸性最強(qiáng)的是( ?。?/h2>
組卷:16引用:1難度:0.7 -
7.下列各組元素性質(zhì)的遞變情況錯(cuò)誤的是( ?。?/h2>
組卷:47引用:2難度:0.9 -
8.下列關(guān)于σ鍵和π鍵的理解不正確的是( ?。?/h2>
組卷:290引用:19難度:0.7
三、填空題(本題共三道題,共52分)
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23.Ga和As均位于周期表第四周期,砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫出基態(tài)As原子的價(jià)電子排布圖
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為
(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是
(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,硬度大,該晶體的類型為,14,14),則原子3的坐標(biāo)為14組卷:78引用:1難度:0.6 -
24.按要求填空:
(1)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積結(jié)構(gòu),在晶胞中Cu原子處于面心,Au原子處于頂點(diǎn),則該合金中Cu原子與Au原子數(shù)量之比為
(2)上述晶體具有儲(chǔ)氫功能,氫原子可進(jìn)入由Cu原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中。若將Cu原子與Au原子等同看待,該晶體儲(chǔ)氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與CaF2(如圖1)的結(jié)構(gòu)相似,該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式應(yīng)為
(3)立方BP(磷化硼)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,晶胞中含B原子數(shù)目為
(4)鐵有δ、γ、α三種同素異形體,γ晶體原子堆積方式為
(5)奧氏體是碳溶解在γ-Fe中形成的一種間隙固溶體,無(wú)磁性,其晶胞如圖所示,則該物質(zhì)的化學(xué)式為組卷:17引用:1難度:0.5