2022-2023學(xué)年福建省漳州八中高二（上）期中物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題4分，共16分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。

• 1．A、B兩電阻的伏安特性曲線如圖所示，下列說法正確的是（　?。?/div>

  A．電阻A和電阻B均為線性元件

  B．電阻A的阻值隨電流的增大而減小

  C．電阻B的阻值不變，圖中的斜率等于其阻值

  D．在兩圖線交點(diǎn)處，電阻A的阻值等于電阻B的阻值
  組卷：64引用：3難度：0.8

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• 2．兩個(gè)點(diǎn)電荷電場(chǎng)的部分電場(chǎng)線如圖所示，一帶電粒子僅在靜電力的作用下由a點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到c點(diǎn)的軌跡如圖中虛線所示，則下列說法正確的是（　　）

  A．粒子帶負(fù)電

  B．正電荷的電荷量大于負(fù)電荷的電荷量

  C．粒子在b點(diǎn)的速度大于在c點(diǎn)的速度

  D．粒子在b點(diǎn)的加速度小于在c點(diǎn)的加速度
  組卷：133引用：4難度：0.6

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• 3．安培提出了著名的分子電流假說，根據(jù)這一假說，電子繞原子核運(yùn)動(dòng)可等效為一環(huán)形電流。如圖為一分子電流模型，電量為e的電子以角速度ω繞原子核沿順時(shí)針方向做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，則該環(huán)形電流的大小和方向?yàn)椋ā　。?/div>

  A． eω 2 π ，逆時(shí)針	B． 2 πe ω ，順時(shí)針
  C． πe 2 ω ，逆時(shí)針	D． eω 2 π ，順時(shí)針
  組卷：453引用：7難度：0.7

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• 4．一勻強(qiáng)電場(chǎng)的方向平行于經(jīng)xOy平面，平面內(nèi)a、b、c三點(diǎn)的位置如圖所示，三點(diǎn)的電勢(shì)分別為2V、8V、14V，下列說法正確的是（　?。?/div>

  A．坐標(biāo)原點(diǎn)處的電勢(shì)為-4V

  B．電子在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的小

  C．勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為 100 2 V / m ，方向由c點(diǎn)指向a點(diǎn)

  D．電子從c點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)，靜電力對(duì)電子做的功為6eV
  組卷：138引用：3難度：0.5

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二、多項(xiàng)選擇題：本題共4小題，每小題6分，共24分。每小題有多項(xiàng)符合題目要求，全部選對(duì)的得6分，選對(duì)但不全的得3分，有選錯(cuò)的得0分。

• 5．半導(dǎo)體指紋傳感器多用于手機(jī)、電腦、汽車等設(shè)備的安全識(shí)別，采集指紋的場(chǎng)景如圖所示。傳感器半導(dǎo)體基板上有大量金屬顆粒，基板上的每一點(diǎn)都是小極板，其外表面絕緣。當(dāng)手指的指紋一面與基板的絕緣表面接觸時(shí)，由于指紋凹凸不平，凸點(diǎn)處與凹點(diǎn)處分別與半導(dǎo)。體基板上的小極板形成正對(duì)面積相同的電容器，使每個(gè)電容器的電壓保持不變，對(duì)每個(gè)電容器的放電電流進(jìn)行測(cè)量，即可采集指紋。指紋采集過程中，下列說法正確的是（　?。?/div>

  A．指紋的凹點(diǎn)處與小極板距離遠(yuǎn)，電容小

  B．指紋的凸點(diǎn)處與小極板距離近，電容小

  C．手指擠壓基板的絕緣表面，電容器帶電荷量增大

  D．手指擠壓基板的絕緣表面，電容器帶電荷量減小
  組卷：88引用：6難度：0.5

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三、非選擇題：共60分，其中9、10題為填空題，11、12題為實(shí)驗(yàn)題，13～15題為計(jì)算題?？忌鶕?jù)要求作答。

• 14．如圖所示，一帶電粒子由靜止被電壓為U₁的加速電場(chǎng)加速，然后沿著水平方向進(jìn)入另一個(gè)電壓為U₂（未知）的勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)，長(zhǎng)為L(zhǎng)的偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的極板水平放置，極板間距為d,粒子射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)時(shí)速度方向與水平方向的夾角θ=30°。已知粒子的電荷量為q、質(zhì)量為m,不計(jì)粒子受到的重力。求：
  （1）粒子在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t；
  （2）U₂。
  組卷：27引用：3難度：0.5

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• 15．如圖所示，在水平軌道AB的末端處，平滑連接一個(gè)半徑R=0.4m的光滑半圓形軌道，半圓形軌道與水平軌道相切，C點(diǎn)為半圓形軌道的中點(diǎn)，D點(diǎn)為半圓形軌道的最高點(diǎn)，整個(gè)軌道處在電場(chǎng)強(qiáng)度水平向右、大小E=4×10³V/m的勻強(qiáng)電場(chǎng)中、將一個(gè)質(zhì)量m=0.1kg、帶正電的小物塊（視為質(zhì)點(diǎn)），從水平軌道的A點(diǎn)由靜止釋放，小物塊恰好能通過D點(diǎn)。小物塊的電荷量q=2×10^-4C，小物塊與水平軌道之間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2，取重力加速度大小g=10m/s²。求：
  （1）A、B兩點(diǎn)間的距離L；
  （2）小物塊通過C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力大小F_N；
  （3）小物塊在水平軌道AB上的落點(diǎn)到B點(diǎn)的距離x。
  組卷：61引用：3難度：0.4

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