2022-2023學(xué)年湖北省襄陽(yáng)五中高二（下）開學(xué)物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題：本題共7小題，每小題4分，共28分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。

• 1．在物理學(xué)發(fā)展的過(guò)程中，有許多偉大的科學(xué)家做出了突出貢獻(xiàn)，下列敘述符合事實(shí)的是（　?。?/h2>

  A．奧斯特首先發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象

  B．麥克斯韋建立了電磁場(chǎng)理論，預(yù)言并通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了電磁波的存在

  C．安培提出了分子電流假說(shuō)，成功揭示了磁現(xiàn)象來(lái)源于運(yùn)動(dòng)電荷這一本質(zhì)

  D．愛因斯坦把能量子引入物理學(xué)，破除了“能量連續(xù)變化”的觀念
  組卷：8引用：7難度：0.9

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• 2．關(guān)于電磁波的下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．紅外線和X射線都有很高的穿透本領(lǐng)，常用于醫(yī)學(xué)上透視人體

  B．過(guò)強(qiáng)的紫外線照射有利于人的皮膚健康

  C．電磁波中頻率最大的是X射線

  D．光是以波動(dòng)形式傳播的一種電磁振動(dòng)
  組卷：84引用：3難度：0.8

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• 3．遠(yuǎn)距離輸電的原理圖如圖所示，T₁、T₂為理想變壓器，其原、副線圈匝數(shù)比分別為1：10和10：1，輸電線路的總電阻R=10Ω，A是額定電壓為220V、額定功率為1100W的用電器。要使用電器A正常工作，則變壓器T₁的輸入電壓為（　?。?/h2>

  A．215V

  B．220.5V

  C．225V

  D．230V
  組卷：142引用：2難度：0.7

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• 4．在水平光滑絕緣桌面上有一邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd,被限制在沿ab方向的水平直軌道自由滑動(dòng)．bc邊右側(cè)有一正直角三角形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域efg,直角邊ge和ef的長(zhǎng)也等于L，磁場(chǎng)方向豎直向下，其俯視圖如圖所示，線框在水平拉力作用下向右勻速穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)，若圖示位置為t=0時(shí)刻，設(shè)逆時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼较?。則感應(yīng)電流i-t圖象正確的是（時(shí)間單位為L(zhǎng)/v）（　?。?/h2>

  A．

  B．

  C．

  D．
  組卷：632引用：8難度：0.4

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• 5．如圖所示，甲、乙兩個(gè)小物塊都沿光滑水平面向右運(yùn)動(dòng)，動(dòng)量都為10kg?m/s,運(yùn)動(dòng)一段時(shí)間二者發(fā)生碰撞，已知碰撞后甲物塊的動(dòng)量變?yōu)?kg?m/s,則下列關(guān)于甲、乙兩物塊的質(zhì)量m_甲和m_乙的關(guān)系，正確的一項(xiàng)是（　?。?/h2>

  A．m甲=5m乙

  B．2m甲=m乙

  C．m甲=m乙

  D．3m甲=2m乙
  組卷：181引用：2難度：0.5

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三、非選擇題：共56分，第12～13題各為6分，第14～16題分別為14分、15分、15分。

• 15．兩根光滑且足夠長(zhǎng)的固定平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ水平放置，導(dǎo)軌的間距為L(zhǎng)，兩根導(dǎo)體棒ab和cd垂直導(dǎo)軌放置且與導(dǎo)軌接觸良好，如圖所示。導(dǎo)體棒的質(zhì)量均為m、電阻均為R，其余電阻不計(jì)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)方向垂直于導(dǎo)軌平面。開始時(shí)，ab棒靜止，給cd棒一水平向右的初速度v₀，設(shè)兩導(dǎo)體棒在此后的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中始終不接觸，求：
  （1）開始瞬間cd棒的加速度多大；
  （2）兩導(dǎo)體棒在運(yùn)動(dòng)中最終產(chǎn)生的焦耳熱是多少？
  （3）在兩棒整個(gè)的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，導(dǎo)體棒ab和cd在水平導(dǎo)軌間掃過(guò)的面積之差？
  組卷：72引用：4難度：0.3

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• 16．目前，我國(guó)正在集中力量開發(fā)芯片技術(shù)，而離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后通過(guò)磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器和磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B方向均垂直紙面向外；速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R₁和R₂的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)的分布區(qū)域是一棱長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體，其底面與晶圓所在水平面平行。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力。求：
  （1）判斷離子的電性和離子通過(guò)速度選擇器的速度大小v；
  （2）磁分析器選擇出來(lái)離子的比荷

  q

  m

  ；
  （3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)加電場(chǎng)時(shí)，離子從偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面飛出，若晶圓所在的水平面是半徑為

  3

  L

  2

  R

  1

  +

  R

  2

  的圓面，為了使偏轉(zhuǎn)粒子能打到晶圓的水平面上，晶圓平面到偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的距離滿足什么條件？
  組卷：41引用：3難度：0.3

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