2022-2023學(xué)年重慶市南開中學(xué)高二(上)期末物理試卷
發(fā)布:2024/12/23 7:30:2
一、單項選擇題:本題共10小題,每小題3分,共30分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。
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1.下列有關(guān)安培力和洛倫茲力的說法正確的是( )
組卷:152引用:1難度:0.8 -
2.下列關(guān)于電磁感應(yīng)的說法中正確的是( ?。?/h2>
組卷:71引用:13難度:0.7 -
3.初速度為v0電子,沿平行于通電長直導(dǎo)線的方向射出,直導(dǎo)線中電流方向與電子初始運動方向如圖,則( ?。?/h2>
組卷:706引用:24難度:0.9 -
4.在LC振蕩電路中,電容器放電時間的長短取決于( ?。?/h2>
組卷:73引用:3難度:0.7 -
5.如圖所示的電路中,已知定值電阻R1=R2=R3=R4,理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為1:4,電源輸出的電功率為P,R1、R2、R3、R4消耗的電功率分別為P1、P2、P3、P4。則下列說法正確的是( ?。?/h2>
組卷:110引用:1難度:0.5 -
6.某同學(xué)用一個微安表頭(量程1mA 內(nèi)阻90Ω):電阻箱R1和電阻箱R2組裝一個多用電表,有電流10mA和電壓3V兩擋,改裝電路如圖所示,則R1、R2應(yīng)調(diào)到多大阻值( ?。?/h2>
組卷:624引用:3難度:0.6 -
7.如圖所示,在水平勻強電場和垂直于紙面向里的勻強磁場中,有一足夠長的豎直固定的絕緣桿MN,小球P套在桿上。已知電場強度為E,磁感應(yīng)強度為B,小球P的質(zhì)量為m(不計重力),電荷量為+q,P與桿間的動摩擦因數(shù)為μ?,F(xiàn)給小球一個初速度,使小球沿桿下滑。則小球開始下滑直到穩(wěn)定的過程中( ?。?/h2>
組卷:241引用:3難度:0.5
第Ⅱ卷(非選擇題共65分)
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21.如圖所示,平行金屬導(dǎo)軌由傾角為θ=37°的傾斜部分和水平兩段平滑連接而成,導(dǎo)軌頂部由電阻為r的導(dǎo)體連接。導(dǎo)軌上有兩處勻強磁場,磁感應(yīng)強度方向垂直于導(dǎo)軌平面向上。在水平導(dǎo)軌無磁場區(qū)靜止放置金屬桿cd。金屬桿ab由靜止開始下滑,離開區(qū)域Ⅰ后在水平導(dǎo)軌與金屬桿cd相撞并粘合在一起。雙桿進入磁場區(qū)域Ⅱ后運動的距離x與速度v的關(guān)系式x=1.28-0.8v(m),最終雙桿停在區(qū)域Ⅱ中。已知金屬桿ab、cd質(zhì)量、電阻均相等。不計摩擦阻力和導(dǎo)軌電阻及磁場邊界效應(yīng),g=10m/s2,sin37°=0.60,cos37°=0.80,求:
(1)若金屬桿ab勻速離開區(qū)域Ⅰ,且已知區(qū)域Ⅰ磁感應(yīng)強度B=1T,導(dǎo)軌間距為0.5m,金屬桿ab質(zhì)量為0.1kg,則離開區(qū)域Ⅰ時ab桿上的電流大小及方向;
(2)金屬桿ab進入水平軌道時的速度大小。組卷:102引用:1難度:0.4 -
22.在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖,離子經(jīng)加速后沿直線A0A1進入速度選擇器,然后垂直于A1A4C4C1平面進入偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓(硅片)。速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強磁場的磁感應(yīng)強度大小均為B,方向均垂直紙面向外,速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強電場場強大小均為E,方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場、磁場分布在一個邊長為l正方體區(qū)域內(nèi),其底面與晶圓所在水平面平行,間距也為l。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場時,離子恰好豎直注入到晶圓上。整個系統(tǒng)置于真空中,偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面中心O位于晶圓中心O1正上方,離子的電荷量為q,不計離子重力。求:
(1)離子通過速度選擇器的速度大小v和離子質(zhì)量;
(2)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強度調(diào)整為1.5B時,不加電場帶電離子在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的運動時間;
(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強度調(diào)整為1.5B后,同時給偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)加上電場,離子從偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面飛出,注入到晶圓所在水平面的位置的坐標(biāo)。組卷:41引用:2難度:0.4