銅、鎵、硒、硅等元素的化合物是生產(chǎn)第三代太陽(yáng)能電池的重要材料。請(qǐng)回答:
(1)基態(tài)銅原子的電子排布式為 1s22s22p63s23p63d104s11s22s22p63s23p63d104s1;
(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物,則它們形成的組成最簡(jiǎn)單的氫化物中,分子構(gòu)型分別為 V形、正四面體V形、正四面體,若“Si-H”中共用電子對(duì)偏向氫元素,氫氣與硒反應(yīng)時(shí)單質(zhì)硒是氧化劑,則硒與硅的電負(fù)性相對(duì)大小為Se >>(填“>”或“<”)Si。
(3)SeO2常溫下為白色晶體,熔點(diǎn)為340~350℃,315℃時(shí)升華,則SeO2固體的晶體類型為 分子晶體分子晶體;若SeO2類似于SO2是V形分子,則其中心原子的軌道雜化類型為 sp2sp2。
(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤電子對(duì)的分子或離子生成配合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3.BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為 sp3sp3,B與N之間形成 配位配位鍵。
(5)金剛砂(SiC)的硬度為9.5,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:若晶胞的邊長(zhǎng)為a pm,則金剛砂的密度表達(dá)式為 4×40NA×(a×10-10)34×40NA×(a×10-10)3g?cm-3。
4
×
40
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
4
×
40
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
【答案】1s22s22p63s23p63d104s1;V形、正四面體;>;分子晶體;sp2;sp3;配位;
4
×
40
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:11引用:2難度:0.5
相似題
-
1.生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
(1)①Na2[Fe(CN)5(NO)]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為
②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
(2)石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示.若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接,其總面積約為
(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O3)2]而溶解。
步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是( )發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
把好題分享給你的好友吧~~