Ⅰ.過(guò)氧化氫和鹽酸的混合溶液可以刻蝕含銅的電路板。
（1）請(qǐng)寫(xiě)出用過(guò)氧化氫和鹽酸刻蝕電路板時(shí)發(fā)生的離子反應(yīng)方程式：

Cu+H₂O₂+2H⁺=Cu²⁺+2H₂O

Cu+H₂O₂+2H⁺=Cu²⁺+2H₂O

。
（2）當(dāng)反應(yīng)一段時(shí)間后，隨著溶液變藍(lán)，氣泡產(chǎn)生的速率加快，可能的原因是

Cu²⁺對(duì)H₂O₂的分解有催化作用或反應(yīng)放熱，溫度升高加快H₂O₂分解反應(yīng)速率

Cu²⁺對(duì)H₂O₂的分解有催化作用或反應(yīng)放熱，溫度升高加快H₂O₂分解反應(yīng)速率

。
Ⅱ.含銅電路板也可以用FeCl₃進(jìn)行刻蝕，對(duì)刻蝕后的液體（FeCl₃、FeCl₂和CuCl₂）進(jìn)行處理以提取FeCl₂?4H₂O、CuSO₄?5H₂O，流程如圖：

（1）從濾液A中提取FeCl₂?4H₂O的操作為：加入Fe粉后，應(yīng)先濃縮濾液至出現(xiàn)

有少量晶體

有少量晶體

，趁熱過(guò)濾，取溶液，

蒸發(fā)濃縮，冷卻結(jié)晶

蒸發(fā)濃縮，冷卻結(jié)晶

，過(guò)濾、洗滌、干燥。
（2）檢驗(yàn)溶液B中提取出的Cu上粘附的Cl^-已經(jīng)洗凈的操作為：

取最后一次洗滌液，加入硝酸酸化的硝酸銀溶液，若無(wú)沉淀產(chǎn)生，則證明已洗滌干凈

取最后一次洗滌液，加入硝酸酸化的硝酸銀溶液，若無(wú)沉淀產(chǎn)生，則證明已洗滌干凈

，制備CuSO₄?5H₂O時(shí)，將銅溶解于H₂SO₄、HNO₃的混酸中，此過(guò)程中產(chǎn)生的紅棕色氣體為

還原

還原

產(chǎn)物（選填“氧化”或“還原”）。
Ⅲ.利用滴定法可測(cè)定所得CuSO₄?5H₂O的純度，操作如下：
①取agCuSO₄?5H₂O樣品，加入足量NH₄F-HF溶液溶解（F^-用于防止Fe³⁺干擾檢驗(yàn)：Fe³⁺+6F^-═

F

e

F

3

-

6

）。
②滴加足量KI溶液，發(fā)生反應(yīng)2Cu²⁺+4I^-═2CuI↓+I₂。
③再用cmol/LNa₂S₂O₃標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定，以淀粉溶液作指示劑，到達(dá)滴定終點(diǎn)時(shí)消耗亞硫酸鈉標(biāo)準(zhǔn)溶液VmL，發(fā)生的反應(yīng)為：I₂+2S₂

O

2

-

3

═S₄

O

2

-

6

+2I^-。
（1）已知NH₄F溶液呈酸性，則水解程度

NH

+

4

＞

＞

F^-（填“＞”、“＜”或“=”），稀釋后消耗

c

（

N

H

3

?

H

2

O

）

c

（

HF

）

的值

增大

增大

（選填“增大”、“減小”或“不變”）。
（2）接近滴定終點(diǎn)時(shí)，向溶液中滴加KSCN，會(huì)發(fā)現(xiàn)CuI沉淀轉(zhuǎn)化為CuSCN，其沉淀轉(zhuǎn)化的原因是

CuSCN的溶解度小于CuI，使溶解平衡向CuI溶解的方向移動(dòng)

CuSCN的溶解度小于CuI，使溶解平衡向CuI溶解的方向移動(dòng)

。已知CuI能夠吸附大量I₂，若不加KSCN，則測(cè)得CuSO₄?5H₂O的純度

偏低

偏低

（選填“偏高”、“偏低”或“不變”）。
（3）計(jì)算CuSO₄?5H₂O的純度：

250

c

V

×

1

0

-

3

a

×100%

250

c

V

×

1

0

-

3

a

×100%

（用a、c、V的代數(shù)式表示）。