已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三個周期，N、X最外層電子數(shù)相同，Z原子序數(shù)大于X，其中Z的簡單離子半徑在同周期中最小，X單質極易與常見無色無味液態(tài)物質發(fā)生置換反應且作氧化劑，在短周期中Y的最高價氧化物對應水化物的堿性最強?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Y在周期表中的位置是

第三周期ⅠA族

第三周期ⅠA族

，寫出YM的電子式：

。
（2）N、X、Y、Z簡單離子的半徑由大到小的順序（用對應離子符號表示）：

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

Cl^-＞F^-＞Na⁺＞Al³⁺

。
（3）在YZO₂與YX的混合液中，通入足量CO₂，是工業(yè)制取Y₃ZX₆的一種方法，寫出該反應的化學方程式：

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

NaAlO₂+6NaF+4CO₂+2H₂O=Na₃AlF₆+4NaHCO₃

。
（4）鎵（₃₁Ga）的化合物氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）作為第三代半導體材料，具有耐高溫、耐高電壓等特性，隨著5G技術的發(fā)展，它們的商用價值進入“快車道”。
①下列有關說法正確的是

bc

bc

。
a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b.Ga為門捷列夫預言的“類鋁”
c.Ga的最高價氧化物對應水化物的堿性比Z元素最高價氧化物對應水化物的堿性強
d.酸性：H₃AsO₄＞H₃PO₄＞HNO₃
②廢棄的含GaAs的半導體材料可以用濃硝酸溶解，放出NO₂氣體，同時生成H₃AsO₄和Ga（NO₃）₃，寫出該反應應的化學方程式為

GaAs+11HNO₃（濃）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

GaAs+11HNO₃（濃）=H₃AsO₄+8NO₂↑+Ga（NO₃）₃+4H₂O

。
（5）YZM₄是有機合成的重要還原劑，其合成路線如圖所示。

利用YZM₄遇水反應生成的氫氣的體積測定YZM₄樣品純度。
其反應原理：YZM₄+M₂O→YZO₂+M₂（未配平）。
現(xiàn)設計如圖四種裝置測定YZM₄樣品的純度（假設雜質不參與反應）：

①從簡約性、準確性考慮，最適宜的方案是

乙

乙

（填編號）。
②取樣品ag,若實驗測得氫氣的體積為VmL（標準狀態(tài)），則YZM₄樣品純度為

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

54

V

×

1

0

-

3

89

.

6

a

×100%

（用代數(shù)式表示）。