在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理的示意圖，靜止于A處的離子，經(jīng)電壓為U的加速電場加速后，沿圖中圓弧虛線通過半徑為R₀的

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圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內(nèi)有均勻輻向分布的電場）后，從P點沿平行硅片方向進入半徑為r的圓形勻強磁場區(qū)域，該圓形磁場區(qū)域的直徑PQ與豎直方向成45°，經(jīng)磁場偏轉，最后打在豎直放置的硅片上。離子的質量為m、電荷量為q,不計離子重力。求：
（1）離子進入圓形勻強磁場區(qū)域時的速度大小v；
（2）靜電分析器通道內(nèi)虛線處電場強度的大小E₀；
（3）若磁場方向垂直紙面向外，離子從磁場邊緣上某點出磁場時，速度方向與直徑PQ垂直，求圓形區(qū)域內(nèi)勻強磁場的磁感應強度B₀的大小。