當(dāng)前位置:
試題詳情
如圖1所示,在xOy坐標(biāo)系中,兩平行極板P、Q垂直于y軸且關(guān)于x軸對(duì)稱(chēng),極板長(zhǎng)度和板間距均為l,緊靠極板的右邊緣的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域由ΔAB0和矩形0BCD構(gòu)成,其中∠OAB=60°,OD=OA.磁場(chǎng)方向垂直于xOy平面向里,D、A位于y軸上。位于極板左側(cè)的粒子源沿x軸向右接連發(fā)射質(zhì)量為m,電荷量為+q、速度相同的帶電粒子,現(xiàn)在0~3t0時(shí)間內(nèi)兩板間加上如圖2所示的電壓,已知t=0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的粒子,在t0時(shí)刻射入磁場(chǎng)時(shí),恰好不會(huì)從磁場(chǎng)邊界射出磁場(chǎng)區(qū)域且圓心在x軸上,上述l、m、q、t0為已知量,U0=ml2qt02,不考慮P、Q兩板電壓的變化對(duì)磁場(chǎng)的影響,也不考慮粒子的重力及粒子間的相互影響,求:
(1)t=0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子射入磁場(chǎng)時(shí)的速度;
(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小及磁場(chǎng)區(qū)域的面積;
(3)t=t0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。
m
l
2
q
t
0
2
【答案】見(jiàn)試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/12/30 0:0:1組卷:78引用:2難度:0.7
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1.芯片制造過(guò)程有極其復(fù)雜的工藝,其中離子注入是一道重要的工序,該工作原理如圖所示:離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,離子在速度選擇器中做勻速直線(xiàn)運(yùn)動(dòng),然后通過(guò)磁分析器,選擇出特定比荷的離子,經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入到水平面內(nèi)的晶圓(硅片)處。速度選擇器中勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向外,勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E,方向豎直向上;磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán),其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔,磁分析器中勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直紙面向外;偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布區(qū)域是同一棱長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體,底面與晶圓所在的水平面重合,偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E,它們的方向均垂直紙面向外;從磁分析器N處小孔射出的離子自偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)上表面的中心射入,當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)及磁場(chǎng)時(shí),離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)。以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中B的方向?yàn)閤軸正方向,水平向左為y軸正方向,建立平面直角坐標(biāo)系。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中,不計(jì)離子重力,打到晶圓上的離子經(jīng)過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的角度都很小,而當(dāng)α很小時(shí),有以下近似計(jì)算:sinα≈α,
。求:1-cosα≈α22
(1)離子的電性及通過(guò)速度選擇器后的速度大?。?br />(2)從磁分析器出來(lái)的離子的比荷;
(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)同時(shí)加上電場(chǎng)和磁場(chǎng)時(shí),離子注入晶圓的位置坐標(biāo)。發(fā)布:2024/12/29 20:30:1組卷:61引用:4難度:0.6 -
2.如圖所示,M和N為平行金屬板,質(zhì)量為m,電荷量為q的帶電粒子從M由靜止開(kāi)始被兩板間的電場(chǎng)加速后,從N上的小孔穿出,以速度v由C點(diǎn)射入圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,經(jīng)D點(diǎn)穿出磁場(chǎng),CD為圓形區(qū)域的直徑。已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外,粒子速度方向與磁場(chǎng)方向垂直,重力忽略不計(jì)。
(1)判斷粒子的電性,并求M、N間的電壓U;
(2)求粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r;
(3)若粒子的軌道半徑與磁場(chǎng)區(qū)域的直徑相等,求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t。發(fā)布:2024/12/29 21:0:1組卷:1319引用:5難度:0.5 -
3.核聚變具有極高效率、原料豐富以及安全清潔等優(yōu)勢(shì),中科院等離子體物理研究所設(shè)計(jì)制造了全超導(dǎo)非圓界面托卡馬克實(shí)驗(yàn)裝置(EAST),這是我國(guó)科學(xué)家率先建成了世界上第一個(gè)全超導(dǎo)核聚變“人造太陽(yáng)實(shí)驗(yàn)裝置將原子核在約束磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)簡(jiǎn)化為帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),如圖所示,磁場(chǎng)水平向右分布在空間中,所有粒子的質(zhì)量均為m,電荷量均為q,且粒子的速度在紙面內(nèi),忽略粒子重力的影響,以下判斷正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 0:0:1組卷:65引用:2難度:0.7
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