當(dāng)前位置： 2018-2019學(xué)年四川省成都七中高二（下）期中化學(xué)試卷> 試題詳情

ⅢA族的硼、鋁、鎵、銦、鉈等元素在化合物中通常為+3價(jià)，這些化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題。
（1）鎵元素（Ga）的原子序數(shù)為
31
31
，其外圍電子排布式
4s²4p¹
4s²4p¹
。
（2）BCl₃的立體構(gòu)型是
平面三角形
平面三角形
，由第二周期元素組成的與BCl₃互為等電子體的陰離子為
NO
-
3
NO
-
3
。硼元素具有缺電子性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B（OH）₄]^-。不考慮空間構(gòu)型，[B（OH）₄]^-中原子的成鍵方式用結(jié)構(gòu)簡式表示為
或
或
。1mol[B（OH）₄]^-中σ鍵的數(shù)目為
8N_A
8N_A
。
（3）GaF₃的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl₃的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因
GaF₃為離子晶體，GaCl₃的為分子晶體
GaF₃為離子晶體，GaCl₃的為分子晶體
。
（4）磷化鋁熔點(diǎn)為2000℃，空間結(jié)構(gòu)與金剛石相似，磷化鋁晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①磷化鋁晶體中磷與鋁微粒間的作用力為
（極性）共價(jià)鍵
（極性）共價(jià)鍵
。
②磷化鋁晶體的密度為ρg?cm^-3，用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則該晶胞中距離最近的兩個(gè)鋁原子之間的距離為
2
2
×
3
232
ρ
N
A
2
2
×
3
232
ρ
N
A
cm。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子核外電子排布；判斷簡單分子或離子的構(gòu)型．

【答案】31；4s²4p¹；平面三角形；

；

或

；8N_A；GaF₃為離子晶體，GaCl₃的為分子晶體；（極性）共價(jià)鍵；

232

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/8/28 2:0:9組卷：1引用：1難度：0.5

相似題

1．在科研和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中，碳、氮、砷（As）、銅等元素形成的單質(zhì)及其化合物有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）As和N同族，基態(tài)砷原子的價(jià)電子排布式為

。
（2）基態(tài)Cu原子的核外電子有

種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，未成對(duì)電子占據(jù)的原子軌道形狀為

。
（3）
C
O
2
-
3
中C原子的雜化軌道類型為

，其空間構(gòu)型為

。
（4）CuO在高溫時(shí)分解為O₂和Cu₂O，請(qǐng)結(jié)合陽離子的結(jié)構(gòu)分析，高溫時(shí)Cu₂O比CuO更穩(wěn)定的原因

。
（5）向盛有CuSO₄溶液的試管中滴加少量氨水，產(chǎn)生藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水至過量得到深藍(lán)色溶液。經(jīng)測(cè)定，溶液呈深藍(lán)色是因?yàn)榇嬖赱Cu（NH₃）₄]SO₄，lmol[Cu（NH₃）₄]²⁺含σ鍵的數(shù)目為

。
（6）金屬晶體銅的晶胞如圖所示，其堆積方式是

，銅晶胞的密度為ρg?cm^-3，N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，則銅晶胞的邊長為

pm（用含ρ、N_A的式子表示，寫出計(jì)算式即可）。
發(fā)布：2024/11/10 1:30:1組卷：33引用：2難度：0.7
解析
2．鎵及其化合物在合金工業(yè)、制藥工業(yè)、電池工業(yè)有廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ga原子的價(jià)層電子排布式為

。
（2）LiGaH₄是一種溫和的還原劑，其可由GaCl₃和過量的LiH反應(yīng)制得：GaCl₃+4LiH=LiGaH₄+3LiCl。
①已知GaCl₃的熔點(diǎn)為77.9℃，LiCl的熔點(diǎn)為605℃，兩者熔點(diǎn)差異較大的原因?yàn)?

。
②[GaH₄]^-的立體構(gòu)型為

。
（3）一種含鎵的藥物合成方法如圖所示：

①化合物Ⅰ中環(huán)上C原子的雜化方式為

，1mol化合物Ⅰ中含有的σ鍵的物質(zhì)的量為

?；衔铫裰兴氐碾娯?fù)性由大到小的順序?yàn)?

（用元素符號(hào)表示）。
②化合物Ⅱ中Ga的配位數(shù)為

，x=

。
（4）Ga、Li和O三種原子形成的一種晶體基片在二極管中有重要用途。其四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：

①上述晶胞沿著a軸的投影圖為

（填選項(xiàng)字母）。

②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，晶胞參數(shù)為a=b=3.0×10^-10m,c=3.86×10^-10m,則其密度為

g?cm^-3（列出計(jì)算式即可）。
發(fā)布：2024/11/10 15:0:1組卷：36引用：1難度：0.5
解析
3．氮及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中用途廣泛。
（1）基態(tài)氮原子的外圍電子軌道表示式為

；與N同周期的主族元素中，電負(fù)性大于N的有

種。
（2）在高壓下，氮?dú)鈺?huì)聚合生成高聚氮。在高聚氮晶體中，每個(gè)氮原子都通過三個(gè)單鍵與其它氮原子結(jié)合并向空間發(fā)展，構(gòu)成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。已知該晶體中N-N的鍵能為160kJ/mol,而氮?dú)庵蠳≡N的鍵能為942kJ/mol,則1molN₂聚合生成高聚氮能量變化是

kJ。
（3）NaN₃在強(qiáng)烈撞擊的情況下快速分解并產(chǎn)生大量氮?dú)?，可用于汽車安全氣囊的制造。寫出一種與
N
-
3
互為等電子體的分子的化學(xué)式：

，
N
-
3
的空間構(gòu)型為

。
（4）據(jù)報(bào)道美國科學(xué)家合成了一種名為“N₅”的物質(zhì)，具有極強(qiáng)的爆炸性，又稱為“鹽粒炸彈”?！癗₅”實(shí)際上是帶正電荷的分子碎片，其結(jié)構(gòu)是對(duì)稱的，5個(gè)N排成V形。如果5個(gè)N結(jié)合后都達(dá)到8電子結(jié)構(gòu)，且含有2個(gè)N≡N鍵。則“N₅”分子碎片所帶電荷是

個(gè)單位正電荷。
（5）我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個(gè)五氮陰離子鹽（N₅）₆（H₃O）₃（NH₄）₄Cl（用R代表）。經(jīng)X射線衍射測(cè)得化合物R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖1所示。

①分子中的大π鍵可用符號(hào)Π_mⁿ表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)（如苯分子中的大π鍵可表示為Π₆⁶），已知
N
-
5
為平面結(jié)構(gòu)且含有大π鍵，則
N
-
5
中的大π鍵應(yīng)表示為

。
②圖中虛線代表氫鍵，其表示式為（
NH
+
4
）N-H???Cl、（
NH
+
4
）N-H???N（
N
-
5
）、

。
（6）用干燥的液氨作用于S₂Cl₂的CCl₄溶液中可制S₄N₄（結(jié)構(gòu)如圖2），化學(xué)反應(yīng)方程為：6S₂Cl₂+16NH₃=S₄N₄+S₈+12NH₄Cl。上述反應(yīng)過程中，沒有破壞或形成的微粒間作用力是

。
A．離子鍵
B．配位鍵
C．金屬鍵
D．氫鍵
E．范德華力
F．極性鍵
G．非極性鍵
發(fā)布：2024/11/10 2:30:1組卷：29引用：1難度：0.5
解析

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