砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式。
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑GaAs,第一電離能GaAs.（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl₃分子的立體構(gòu)型為，其中As的雜化軌道類型為。
（4）GaF₃的熔點高于1000℃，GaCl₃的熔點為77.9℃，其原因是。
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ g?cm^-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為，Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為M_Gag?mol^-1和M_Asg?mol^-1，原子半徑分別為r_Gapm和r_Aspm,阿伏加德羅常數(shù)值為N_A，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為。

【考點】原子核外電子排布；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷；元素電離能、電負性的含義及應用；晶胞的計算．

【答案】1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³；大于；小于；三角錐形；sp³；GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體，離子晶體的熔點高；原子晶體；共價；×100%