硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應用．回答下列問題．
（1）高純硅是現(xiàn)代信息、半導體和光伏發(fā)電等產業(yè)都需要的基礎材料．工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應如圖．

	發(fā)生的主要反應
電弧爐	SiO2+2C 1600 - 1800 ℃ Si+2CO↑
流化床反應器	Si+3HCl 250 - 300 SiHCl3+H2
還原爐

①還原爐中發(fā)生主要反應的化學方程式為

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

SiHCl₃+H₂

高溫

Si+3HCl

．該工藝中可循環(huán)使用的物質為

HCl和H₂

HCl和H₂

（填化學式）．用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產碳化硅，該反應的化學方程式為

SiO₂+3C

高溫

SiC+2CO↑

SiO₂+3C

高溫

SiC+2CO↑

．
②在流化床反應的產物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl₄、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl等，有關物質的沸點數(shù)據(jù)如下表，提純SiHCl₃的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和

精餾（或蒸餾）

精餾（或蒸餾）

．

物質	Si	SiCl4	SiHCl3	SiH2Cl2	SiH3Cl	HCl	SiH4
沸點/℃	2355	57.6	31.8	8.2	-30.4	-84.9	-111.9

③SiHCl₃極易水解，其完全水解的化學方程式為

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl↑

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃+H₂↑+3HCl↑

．
（2）氮化硅（Si₃N₄）是一種高溫結構材料，粉末狀態(tài)的Si₃N₄可以由SiCl₄的蒸氣和NH₃反應制?。勰頢i₃N₄遇空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si₃N₄和適量氧化鎂在230×1.01×10⁵Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理，可以制得結構十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料，同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg₃N₂．
①由SiCl₄和NH₃反應制取Si₃N₄的化學方程式為

3SiCl₄+4NH₃

高溫

Si₃N₄+12HCl

3SiCl₄+4NH₃

高溫

Si₃N₄+12HCl

．
②四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下，加強熱發(fā)生反應，使生成的Si₃N₄沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該反應的化學方程式為

3SiCl₄+2N₂+6H₂

高溫

Si₃N₄+12HCl

3SiCl₄+2N₂+6H₂

高溫

Si₃N₄+12HCl

．
③Si₃N₄和適量氧化鎂在230×1.01×10⁵Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理的過程中，除生成Mg₃N₂外，還可能生成

SiO₂

SiO₂

物質（填化學式）．熱處理后除去MgO和Mg₃N₂的方法是

加足量稀鹽酸過濾

加足量稀鹽酸過濾

．