砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，回答下列問題：
（1）下列說法中正確的是

ACE

ACE

A．電負(fù)性：As＞Ga
B．第一電離能：As＜Ga
C．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
D．砷和鎵的晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的化學(xué)方程式為

（CH₃）₃Ga+AsH₃

700

℃

GaAs+3CH₄

（CH₃）₃Ga+AsH₃

700

℃

GaAs+3CH₄

。AsH₃的空間構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

，（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為

sp²

sp²

。
（3）Ga的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

。
（4）AsH₃的沸點(diǎn)比NH₃，其原因是

NH₃分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵

NH₃分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵

。
（5）砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為bg/mol^-1，阿伏加德羅常數(shù)值為N_A，則砷化鎵晶體密度的表達(dá)式

4

b

N

A

×

（

4

3

3

a

）

3

4

b

N

A

×

（

4

3

3

a

）

3

g/cm^-3。
（6）60年代美國化學(xué)家鮑林提出了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)規(guī)則：設(shè)含氧酸的化學(xué)式為H_nRO_m，其中（m-n）為非羥基氧原子數(shù)，鮑林認(rèn)為含氧酸的強(qiáng)弱與非羥基氧原子數(shù)（m-n）的關(guān)系見下表．

m-n	0	1	2	3
含氧酸強(qiáng)度	弱酸	中強(qiáng)	強(qiáng)	很強(qiáng)
實(shí)例	HClO	H3PO4	HNO3	HClO4

試回答下列問題：
①按此規(guī)則判斷H₃AsO₄、H₂CrO₄、HMnO₄酸性由弱到強(qiáng)的順序?yàn)?

H₃AsO₄＜H₂CrO₄＜HMnO₄

H₃AsO₄＜H₂CrO₄＜HMnO₄

．
②H₃PO₃和H₃AsO₃的形式一樣，但酸性強(qiáng)弱相差很大．已知H₃PO₃為中強(qiáng)酸，H₃AsO₃為弱酸，試推斷H₃PO₃和H₃AsO₃的分子結(jié)構(gòu)

、

、

．
③按此規(guī)則判斷碳酸應(yīng)屬于

中強(qiáng)

中強(qiáng)

酸，與通常認(rèn)為的碳酸的強(qiáng)度是否一致？

不一致

不一致

.其可能的原因是

溶于水的那部分CO₂并不能完全轉(zhuǎn)化為H₂CO₃

溶于水的那部分CO₂并不能完全轉(zhuǎn)化為H₂CO₃

．