某化工廠為了綜合利用生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品CaSO4，與相鄰的化肥廠聯(lián)合設(shè)計了以下制備（NH4）2SO4的工藝流程。在如圖流程中，沉淀池里物質(zhì)發(fā)生的主要化學反應為：CO2+2NH3+CaSO4+H2O═CaCO3↓+（NH4）2SO4。
（1）沉淀B高溫煅燒反應的化學方程式 CaCO3 高溫 CaO+CO2↑CaCO3 高溫 CaO+CO2↑，反應的基本類型：分解反應分解反應，該工藝中可循環(huán)使用的物質(zhì)為 CO2CO2（填化學式）。
（2）實驗室里操作①稱為 過濾過濾，實驗室進行此操作時，用到的玻璃儀器有玻璃棒、燒杯燒杯、漏斗漏斗。
（3）①同學們在實驗室用硫酸銨晶體配制硫酸銨溶液，除用到膠頭滴管、量筒、燒杯外，還需要用到玻璃棒，玻璃棒的作用是 加快溶解速率加快溶解速率。
②實驗室用200克40%的硫酸銨溶液加水稀釋成10%的硫酸銨溶液。需要加水的質(zhì)量為 600600克。
（4）從綠色化學和資源綜合利用的角度說明上述流程的主要優(yōu)點是 實現(xiàn)了廢物再利用實現(xiàn)了廢物再利用。
高溫
高溫
【答案】CaCO3 CaO+CO2↑；分解反應；CO2；過濾；燒杯；漏斗；加快溶解速率；600；實現(xiàn)了廢物再利用
高溫
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：9引用：1難度：0.8
相似題
-
1．氧化鎂在醫(yī)藥等行業(yè)應用廣泛。實驗室以菱鎂礦（主要成分為MgCO3，含少量FeCO3，其他雜質(zhì)不溶于水和酸） 為原料制備高純氧化鎂的實驗流程如圖1：
（1）為了提高“酸浸”的效果，可采取的措施有：適當升高溫度、。MgCO3與稀硫酸反應的化學方程式為。
（2）“氧化”過程中，將FeSO4全部轉(zhuǎn)化為Fe2（SO4）3，然后加氨水，調(diào)節(jié)溶液的pH范圍為。（已知部分金屬陽離子以氫氧化物形成沉淀時溶液的pH見表）
（3）過濾后得到濾渣2和濾液，濾渣2是對應離子 Fe3+ Fe2+ Mg2+ 開始沉淀時的pH 2.7 7.9 9.4 完全沉淀時的pH 3.7 9.6 11.4 （填化學式），此時濾液中的陽離子一定含有（填離子符號）。
（4）煅燒過程存在以下反應：
2MgSO4+C2MgO+2SO2↑+CO2↑800℃
MgSO4+CMgO+SO2↑+CO↑800℃
MgSO4+3CMgO+S↑+3CO↑800℃
已知：①硫在常溫下是一種淡黃色固體，硫的熔點約為115.2℃，沸點約為444.7℃；②高錳酸鉀溶液與SO2反應會褪色，且只吸收SO2，不吸收CO2； ③堿溶液既吸收SO2，又吸收CO2．利用如圖2裝置對煅燒產(chǎn)生的氣體進行檢驗并收集。
①集氣瓶B中盛放的溶液是（填字母），C中盛放的溶液是（填字母）。
a.Ca（OH）2溶液
b.KMnO4溶液
c.NaOH溶液
d.BaCl2溶液
②裝置D的作用是。發(fā)布：2024/12/25 16:0:1組卷：127引用：2難度：0.5 -
2．硅單質(zhì)及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題：
（1）制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當前制 備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如圖：
①寫出由純SiHCl3，制備高純硅的化學反應方程式_。
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學反應方程式；H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是。
（2）石英砂的主要成分是二氧化硅，高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料----光導纖維。二氧化硅和二氧化碳一樣，也能與氫氧化鈉溶液生成硅酸鈉（其水溶液稱水玻璃）和水。請寫出二氧化硅與氫氧化鈉溶液的化學方程式。發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：23引用：1難度：0.5 -
3．波爾多液含氫氧化鈣、氫氧化銅和硫酸鈣等物質(zhì)，是農(nóng)業(yè)上常用的殺菌劑。一種生產(chǎn)波爾多液的工藝流程如圖。
（1）“煅燒”的化學方程式為，該反應屬于基本反應類型中的反應。
（2）“混合”時不能用鐵制容器，原因是（用化學方程式表示）。
（3）“混合”時需不斷攪拌，目的是。
（4）“混合”過程中發(fā)生復分解反應的化學方程式為。
（5）“混合”后得到的波爾多液溫度明顯高于室溫，原因是。
（6）用可以測定波爾多液酸堿度。發(fā)布：2024/12/25 17:30:2組卷：50引用：2難度：0.5
把好題分享給你的好友吧~~