含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中，與其他礦物共同構(gòu)成巖石．晶體硅（熔點 1410℃）用途廣泛，制取與提純方法有多種．
（1）煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應：Si+2FeO

高溫

 2Fe+SiO₂，其目的是

CD

CD

．
A．得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥 
B．制取SiO₂，提升鋼的硬度
C．除去生鐵中過多的Si雜質(zhì)
D．除過量FeO，防止鋼變脆
（2）一種由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）

C

l

2

460

℃

SiCl₄

蒸餾

SiCl₄（純）

H

2

1100

℃

Si（純），在上述由SiCl₄制純硅的反應中，測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：

SiCl₄（g）+2H₂（g）→Si（s）+4HCl（g）△H=-0.025akJ/mol

SiCl₄（g）+2H₂（g）→Si（s）+4HCl（g）△H=-0.025akJ/mol

．
對于鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX₄）下列敘述正確的是

BC

BC

A．NaX易水解　　　            
B．SiX₄是共價化合物
C．NaX的熔點一般高于SiX₄ D．SiF₄晶體是由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
（3）粗硅經(jīng)系列反應可生成硅烷（SiH₄），硅烷分解也可以生成高純硅．硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷，所以Si元素的非金屬性弱于C元素，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：

C和Si最外層電子數(shù)相同（或“是同主族元素”），C原子半徑小于Si（或“C原子電子層數(shù)少于Si”）

C和Si最外層電子數(shù)相同（或“是同主族元素”），C原子半徑小于Si（或“C原子電子層數(shù)少于Si”）

．
（4）此外，還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl₃），通過反應：SiHCl₃（g）+H₂（g）?Si（s）+3HCl（g）制得高純硅．不同溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應物的投料比（反應初始時，各反應物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如下圖所示．下列說法正確的是

a、c

a、c

（填字母序號）．
a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標表示的投料比應該是

n

（

S

i

HC

l

3

）

n

（

H

2

）

c.實際生產(chǎn)中為提高SiHCl₃的利用率，可適當降低壓強
（5）硅元素最高價氧化物對應的水化物是H₂SiO₃．室溫下，0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液，堿性更強的是

硅酸鈉

硅酸鈉

，其原因是

硅酸的K_i2小于碳酸的K_i2，硅酸鈉更易水解

硅酸的K_i2小于碳酸的K_i2，硅酸鈉更易水解

．
已知：H₂SiO₃：K_i1=2.0×10^-10      K_i2=1.0×10^-12 H₂CO₃：K_i1=4.3×10^-7       K_i2=5.6×10^-11．