光刻機(jī)是半導(dǎo)體行業(yè)中重中之重的利器,我國上海微電子裝備公司(SMEE)在這一領(lǐng)域的技術(shù)近年取得了突破性進(jìn)展。電子束光刻技術(shù)原理簡化如圖所示,電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過成型孔后形成電子束,通過束偏移器后對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。某型號(hào)光刻機(jī)的束偏移器長L=0.04m,間距也為L,兩極間有掃描電壓,其軸線垂直晶圓上某芯片表面并過中心O點(diǎn),芯片到束偏移器下端的距離為L2。若進(jìn)入束偏移器時(shí)電子束形成的電流大小為I=2×10-8A,單個(gè)電子的初動(dòng)能為Ek0=1.6×10-14J,不計(jì)電子重力及電子間的相互作用力,忽略其他因素的影響,電子到達(dá)芯片即被吸收。
(1)若掃描電壓為零,電子束在束偏移器中做何種運(yùn)動(dòng)?電子束到達(dá)芯片時(shí)的落點(diǎn)位置?
(2)若掃描電壓為零,且It=Ne(N為電子個(gè)數(shù)),求O點(diǎn)每秒接收的能量E?(e=1.6×10-19C)
(3)若某時(shí)刻掃描電壓為15kV,則電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離為多少?
L
2
【考點(diǎn)】從能量轉(zhuǎn)化與守恒的角度解決電場中的問題;動(dòng)能定理的簡單應(yīng)用.
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:36引用:2難度:0.6
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發(fā)布:2024/12/16 7:30:2組卷:66引用:1難度:0.5 -
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發(fā)布:2024/12/17 12:2:24組卷:352引用:4難度:0.6 -
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發(fā)布:2024/12/19 14:30:2組卷:204引用:3難度:0.5
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