如圖所示，xOy平面內(nèi)，x軸下方無電場，x軸上方被某直線邊界分割成兩部分，一部分充滿勻強電場（電場強度與y軸負方向成α角），另一部分無電場，該邊界與y軸交于M點，與x軸交于N點。只有經(jīng)電場到達N點、與x軸正方向成α角斜向下運動的帶電粒子才能進x軸下方區(qū)域。從M點向電場內(nèi)發(fā)射一個比荷為

q

m

的帶電粒子A，其速度大小為v₀、方向與電場方向垂直，僅在電場中運動時間T后進入第四象限，且通過N點的速度大小為2v₀。忽略邊界效應，不計粒子重力。
（1）求角度α；
（2）在該邊界上任意位置沿與電場垂直方向直接射入電場內(nèi)的、比荷為

q

m

的帶電粒子，只要速度大小適當，就能通過N點進入第四象限，求N點橫坐標及此邊界方程。
（3）若在x軸上N點左側發(fā)射比荷、電性均與A相同的帶電粒子B，其速度大小為8v₀，方向與A粒子在M點發(fā)射時初速度相同，若B粒子恰過N點。求B粒子發(fā)射時的坐標及射出到運動至N點的時間。