氮化鋁（AlN）是一種新型的電子絕緣基片材料，用于大型和超大型集成電路中。
Ⅰ.AlN的制備

（1）NH₄Cl作為添加劑，受熱分解產(chǎn)生NH₃和HCl氣體，其化學(xué)方程式為

NH₄Cl

△

NH₃↑+HCl↑

NH₄Cl

△

NH₃↑+HCl↑

。
（2）反應(yīng)前先通N₂，目的是

排盡裝置中的空氣，以免鋁粉和氧氣反應(yīng)

排盡裝置中的空氣，以免鋁粉和氧氣反應(yīng)

。
（3）如圖1，

1000

1000

℃時(shí)，產(chǎn)物中AlN純度最高。如圖2可以推斷最佳保溫時(shí)長(zhǎng)為3小時(shí)而不是4小時(shí)的理由是

保溫3小時(shí)后，合成產(chǎn)物中含氮量不會(huì)再明顯增加（或變化不大），繼續(xù)保溫，浪費(fèi)能量

保溫3小時(shí)后，合成產(chǎn)物中含氮量不會(huì)再明顯增加（或變化不大），繼續(xù)保溫，浪費(fèi)能量

。
Ⅱ.AlN的質(zhì)量分?jǐn)?shù)測(cè)定
在生產(chǎn)過(guò)程中，氮化鋁樣品中常含有少量的氧化鋁雜質(zhì)。某小組同學(xué)用圖1和圖1裝置組合來(lái)進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)前稱量1.0g樣品，根據(jù)反應(yīng)中所生成氨氣的體積來(lái)測(cè)定樣品中的氮化鋁的質(zhì)量分?jǐn)?shù)（實(shí)驗(yàn)中導(dǎo)管體積忽略不計(jì)）。
已知：①AlN+NaOH+H₂O═NaAlO₂+NH₃↑
②Al₂O₃+2NaOH═2NaAlO₂+H₂O

（4）主要實(shí)驗(yàn)步驟如下：a、往錐形瓶中放入適量的AlN樣品；b、打開(kāi)分液漏斗活塞往錐形瓶中加入過(guò)量的濃NaOH；c、檢驗(yàn)裝置氣密性；d、測(cè)定收集到水的體積。操作的先后順序是：c→

a→b

a→b

（填“a→b”或“b→a”）→d
（5）裝置B中試劑X必須具備條件有

不會(huì)與氨氣反應(yīng)，密度比水小

不會(huì)與氨氣反應(yīng)，密度比水小

（至少寫出兩點(diǎn)）。
（6）虛線框中裝置適宜選用圖2中的裝置

D

D

（填“C”或“D”）。
（7）有同學(xué)認(rèn)為實(shí)驗(yàn)結(jié)束后，會(huì)有NH₃殘留在裝置A中，不能完全排出，

不需要

不需要

（填“需要”或“不需要”）通入N₂將其中殘留的NH₃排入后續(xù)裝置中。
（8）用圖1裝置測(cè)得的純度會(huì)偏大，如果將裝置A換成圖3中的裝置

EFG

EFG

（填字母），可以避免此誤差。
（9）若裝置經(jīng)過(guò)改進(jìn)后，測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)狀況下的NH₃體積為0.44L。請(qǐng)計(jì)算該樣品中的AlN的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。（已知氨氣的密度為：0.771g/L） （寫出計(jì)算過(guò)程）