從科技前沿到日常生活,化學(xué)無處不在。下列說法錯誤的是( ?。?/h1>
【答案】B
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/5/27 14:0:0組卷:12引用:1難度:0.9
相似題
-
1.a是一種難溶于水的氧化物,能熔于熔融態(tài)的燒堿,生成易溶于水的化合物b,將少量b溶液滴入鹽酸中,最終能生成一種白色的膠狀沉淀,則a為( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/21 8:0:2組卷:8引用:1難度:0.9 -
2.含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中,與其他礦物共同構(gòu)成巖石.晶體硅(熔點(diǎn) 1410℃)用途廣泛,制取與提純方法有多種.
(1)煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應(yīng):Si+2FeO2Fe+SiO2,其目的是高溫
A.得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥
B.制取SiO2,提升鋼的硬度
C.除去生鐵中過多的Si雜質(zhì)
D.除過量FeO,防止鋼變脆
(2)一種由粗硅制純硅過程如下:Si(粗)SiCl4Cl2460℃SiCl4(純)蒸餾Si(純),在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:H21100℃
對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4)下列敘述正確的是
A.NaX易水解
B.SiX4是共價(jià)化合物
C.NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4 D.SiF4晶體是由共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
(3)粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH4),硅烷分解也可以生成高純硅.硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷,所以Si元素的非金屬性弱于C元素,用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因:
(4)此外,還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),通過反應(yīng):SiHCl3(g)+H2(g)?Si(s)+3HCl(g)制得高純硅.不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時,各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如下圖所示.下列說法正確的是
a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是n(SiHCl3)n(H2)
c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,可適當(dāng)降低壓強(qiáng)
(5)硅元素最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物是H2SiO3.室溫下,0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液,堿性更強(qiáng)的是
已知:H2SiO3:Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3:Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11.發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:89引用:1難度:0.5 -
3.硅及其化合物的開發(fā)由來已久,在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用.回答下列問題.
(1)高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料.工業(yè)上提純硅有多種路線,其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖.發(fā)生的主要反應(yīng) 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應(yīng)器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中,SiHCl3大約占85%,還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和物質(zhì) Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點(diǎn)/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9
(2)氮化硅(Si3N4)是一種高溫結(jié)構(gòu)材料,粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制?。勰頢i3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定.但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理,可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料,同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2.
①由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)方程式為
②四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理的過程中,除生成Mg3N2外,還可能生成發(fā)布:2024/12/26 8:0:1組卷:29引用:1難度:0.5
把好題分享給你的好友吧~~