11.高效節(jié)能、壽命長的半導體照明產(chǎn)品正在引領(lǐng)照明行業(yè)的綠色變革,而氮化鎵(GaN)的研制是實現(xiàn)半導體照明的核心技術(shù)和基礎(chǔ),當前我國在第三代半導體材解研制方面走在世界的前列?;卮鹣铝杏嘘P(guān)問題。
(1)基態(tài)Ga原子的價層電子排布式為
。
(2)GaN在加熱條件下與NaOH溶液發(fā)生如下反應:CaN+OH
-+H
2O=
+NH
3↑。
①基態(tài)N、O分別失去一個電子時,需要吸收能量更多的是
,判斷的理由是
。
②
在高氯酸的熱溶液中可以生成化合物[Ga(H
2O)
6]( ClO
4)
3,該化合物中提供孤電子對形成配位鍵的原子為
,1mol[Ga(H
2O)
6]
3+中所含有的σ鍵數(shù)目為
,
與H
2O相比,鍵角
H
2O(填“>”或“<”)。
(3)GaN的一種晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被N原子代替,頂點和面心的碳原子被Ga原子代替。
①氮化鎵中鎵原子的雜化方式為
,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
。
②以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數(shù)坐標。若沿y軸投影的晶胞中所有原子的分布圖如圖所示,則2、3、4原子的分數(shù)坐標不可能的是
(填序號)。
a.(0.75,0.75,0.25)
b.(0.75,0.25,0.75)
c.(0.25,0.25,0.25)
d.(0.25,0.75,0.25)
③GaN晶體中N和N的原子核間距為apm,GaN的摩爾質(zhì)量為Mg?mol
-1,阿伏加德羅常數(shù)的值為N
A,則GaN晶體的密度為
g?cm
-3。