20.Zn
2+、三乙撐二胺和對苯二甲酸根離子可形成晶體M,其晶胞示意圖如圖1。
(1)Zn
2+的價層電子排布式是
。
(2)C、O、N的電負(fù)性從大到小的順序是
。
(3)三乙撐二胺(
)與Zn
2+能形成配位鍵的原因是
。
(4)在晶體M每個空腔中裝入一個順式偶氮苯分子后形成晶體M
1,晶胞示意圖如圖2。一定條件下隨著偶氮苯順反結(jié)構(gòu)的變化,晶體骨架發(fā)生畸變,晶體在M
1和M
2兩種結(jié)構(gòu)之間相互轉(zhuǎn)化,可以吸收和釋放N
2,被稱為“會呼吸”的晶體。
晶體 |
裝載分子 |
晶胞中Zn2+個數(shù) |
晶胞體積/cm3 |
M1 |
順式偶氮苯 |
x |
1.30×10-24 |
M2 |
反式偶氮苯 |
4 |
2.46×10-24 |
資料:i.反式偶氮苯
順式偶氮苯
ii.M
1和M
2相互轉(zhuǎn)化時,Zn
2+的配體和配體數(shù)均不變
①N
2的電子式是
。
②偶氮苯(
)中N的雜化軌道類型是
。偶氮苯存在順反異構(gòu)的原因是分子中兩個氮原子間存在
(填“σ鍵”或“π鍵”)。
③x=
。
④晶胞密度小則晶體內(nèi)部的空隙大。能讓“會呼吸”的晶體吸收N
2的條件是
光照射。