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2761．硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應用．回答下列問題．
（1）高純硅是現(xiàn)代信息、半導體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎材料．工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應如圖．
①還原爐中發(fā)生主要反應的化學方程式為發(fā)生的主要反應 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐 ．該工藝中可循環(huán)使用的物質為（填化學式）．用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅，該反應的化學方程式為．
②在流化床反應的產(chǎn)物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，有關物質的沸點數(shù)據(jù)如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和．
③SiHCl3極易水解，其完全水解的化學方程式為物質 Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9 ．
（2）氮化硅（Si3N4）是一種高溫結構材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應制?。勰頢i3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理，可以制得結構十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料，同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2．
①由SiCl4和NH3反應制取Si3N4的化學方程式為．
②四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下，加強熱發(fā)生反應，使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該反應的化學方程式為．
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理的過程中，除生成Mg3N2外，還可能生成物質（填化學式）．熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：29引用：1難度：0.5
2762．含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中，與其他礦物共同構成巖石．晶體硅（熔點 1410℃）用途廣泛，制取與提純方法有多種．
（1）煉鋼開始和結束階段都可能發(fā)生反應：Si+2FeO2Fe+SiO2，其目的是高溫．
A．得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥
B．制取SiO2，提升鋼的硬度
C．除去生鐵中過多的Si雜質
D．除過量FeO，防止鋼變脆
（2）一種由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）SiCl4Cl2460℃SiCl4（純）蒸餾Si（純），在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：H21100℃．
對于鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX4）下列敘述正確的是
A．NaX易水解
B．SiX4是共價化合物
C．NaX的熔點一般高于SiX4 D．SiF4晶體是由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結構
（3）粗硅經(jīng)系列反應可生成硅烷（SiH4），硅烷分解也可以生成高純硅．硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷，所以Si元素的非金屬性弱于C元素，用原子結構解釋其原因：．
（4）此外，還可以將粗硅轉化成三氯氫硅（SiHCl3），通過反應：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）制得高純硅．不同溫度下，SiHCl3的平衡轉化率隨反應物的投料比（反應初始時，各反應物的物質的量之比）的變化關系如下圖所示．下列說法正確的是（填字母序號）．
a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標表示的投料比應該是n（SiHCl3）n（H2）
c.實際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，可適當降低壓強
（5）硅元素最高價氧化物對應的水化物是H2SiO3．室溫下，0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液，堿性更強的是，其原因是．
已知：H2SiO3：Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3：Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：89引用：1難度：0.5
2763．正丁醚制備原理為2CH3CH2CH2CH2OHCH3CH2CH2CH2OCH2CH2CH2CH3+H2O。濃H2SO4135℃
實驗裝置圖如圖：
實驗步驟：
Ⅰ.在三頸燒瓶中，加入0.16mol正丁醇、濃硫酸和沸石，按圖連接裝置。先在分水器內(nèi)預先加水至支管處，小心開啟旋塞放出XmL。然后小火加熱保持反應物微沸，回流分水。
Ⅱ.反應結束后將反應液和25mL水在分液漏斗中混合，充分搖振靜置分層后棄去水層，粗產(chǎn)物依次用等體積5%NaOH溶液、蒸餾水和飽和CaCl2溶液洗滌，然后用1g無水氯化鈣干燥。過濾后的產(chǎn)物加入25mL蒸餾瓶中，蒸餾收集到9.1g產(chǎn)品。
請回答下列問題：
（1）儀器B的名稱為。
（2）分水器使用前（填“需要”或“不需要”）檢漏，步驟Ⅰ中的X的范圍為（填序號）。
A.0～1
B.1～2
C.2～3
（3）已知正丁醚難溶于水，正丁醇微溶于水，易溶于醚，分水器在本實驗中的可能作用是（填序號）。
A.移走生成物水，同時讓正丁醇、正丁醚回到反應瓶，提高正丁醇的轉化率
B.冷凝回流正丁醇、正丁醚和水
C.實驗過程中分水器內(nèi)會出現(xiàn)分層現(xiàn)象，當分水器全部被水充滿時，停止反應
（4）簡述步驟Ⅱ中反應液和25mL水在分液漏斗中的混合方法：。
（5）本實驗粗產(chǎn)物依次用水洗滌是為了除去殘留的NaOH，用飽和CaCl2溶液洗滌是除去殘留的正丁醇，能不能省去水洗步驟而直接用飽和CaCl2溶液洗滌？（填“能”或“不能”），理由是。
（6）最后收集到正丁醚的產(chǎn)率為%（保留兩位小數(shù)）。發(fā)布：2024/12/24 8:0:2組卷：3引用：1難度：0.52764．W、X、Y、Z四種元素都位于短周期，它們的原子序數(shù)依次遞增。W原子核內(nèi)只有一個質子，X原子的核外電子總數(shù)與Z原子的最外層電子數(shù)相等，W和X的主族序數(shù)之和與Y的主族序數(shù)相等，Z通常能形成Z2和Z3兩種單質。其中Z2是空氣的主要成分之一。下列說法正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/22 11:0:4組卷：57引用：2難度：0.52765．化學與生產(chǎn)、生活密切相關。下列說法正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/22 11:0:4組卷：46引用：1難度：0.52766．四溴化鈦（TiBr4）可用作橡膠工業(yè)中烯烴聚合反應的催化劑，常溫下為橙黃色固體，熔點：38.3℃，沸點233.5℃，具有潮解性且易發(fā)生水解。實驗室利用反應TiO2+C+2Br2
TiBr4+CO2來制備TiBr4，裝置如圖所示。下列說法錯誤的是（ ?。?br />高溫
發(fā)布：2024/12/22 11:0:4組卷：47引用：4難度：0.52767．鉻能慢慢地溶于稀鹽酸得到藍色溶液，若通入空氣則溶液顏色變綠，發(fā)生的反應有：①Cr+2HCl=CrCl2+H2↑；②4CrCl2+4HCl+O2=4CrCl3+2H2O。下列敘述正確的是（ ）
發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：51引用：2難度：0.72768．四氧化三錳用于電子工業(yè)生產(chǎn)軟磁鐵氧體，用作電子計算機中存儲信息的磁芯。以工業(yè)硫酸錳為原料（含有少量CaO、MgO、Ca（OH）2等物質）制備Mn3O4的工藝流程如圖：
已知：①氧化時鼓入空氣使溶液的電位迅速上升；
②四氧化三錳中錳的化合價與四氧化三鐵中鐵的化合價類似。
回答下列問題：
（1）為提高“溶解”效率，可采取的措施有。
（2）濾渣的主要成分是。
（3）氧化時，生成Mn3O4的離子方程式為產(chǎn)生氨氣以回收利用。
（4）向母液可加入。
A.CaO
B.稀氫氧化鈉溶液
C.氫氧化鈣固體
D.（NH4）2CO3
（5）通過對上述“氧化”工藝進行數(shù)據(jù)收集及資料分析可知溶液電位與pH等關系如圖所示
氧化時N2H4?H2O的作用是。
（6）四氧化三錳的其他制法：
①熱還原法：
在甲烷氣體存在下，將Mn2O3還原成Mn3O4的化學方程式為。
②電解法：
利用電解原理，制備四氧化三錳裝置如圖所示。（電極材料均為惰性電極，＜代表電子流向）
電源正極為（填“a”或“b”），陽極的電極反應式為。發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：14引用：1難度：0.62769．下列事實中能證明碳的非金屬性比硅強的是（ ?。?br />①往Na2SiO3溶液中通入CO2產(chǎn)生白色沉淀
②石墨是導體，晶體硅是半導體
③制玻璃過程中發(fā)生反應Na2CO3+SiO2Na2SiO3+CO2↑高溫
④CH4比SiH4穩(wěn)定．發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：99引用：5難度：0.7
2770．飽和甘汞電極（Hg-Hg2Cl2）常被用作參比電極測定某電極的電極電位，其內(nèi)部構造如圖所示，在測定電池的電動勢后，才可以標出被測電極的電極電位。當甘汞電極與鋅電極共同插入ZnCl2溶液中構成原電池時，下列說法不正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：13引用：1難度：0.5
