1988 年阿爾貝?費爾和彼得?格林貝格爾發(fā)現(xiàn)，在鐵、鉻相間的三層復合膜電阻中，微弱的磁場可以導致電阻大小的急劇變化，這種現(xiàn)象被命名為“巨磁電阻效應(yīng)”。更多的實驗發(fā)現(xiàn)，并非任意兩種不同種金屬相間的三層膜都具有“巨磁電阻效應(yīng)”．組成三層膜的兩種金屬中，有一種是鐵、鈷、鎳這三種容易被磁化的金屬中的一種，另一種是不易被磁化的其他金屬，才可能產(chǎn)生“巨磁電阻效應(yīng)”。進一步研究表明，“巨磁電阻效應(yīng)”只發(fā)生在膜層的厚度為特定值時．用R₀表示未加磁場時的電阻，R 表示加入磁場后的電阻，科學家測得鐵、鉻組成的復合膜 R 與R₀之比與膜層厚度 d（三層膜厚度均相同）的關(guān)系如圖所示。

1994 年IBM 公司根據(jù)“巨磁電阻效應(yīng)”原理，研制出“新型讀出磁頭”，將磁場對復合膜阻值的影響轉(zhuǎn)換成電流的變化來讀取信息。
（1）以下兩種金屬組成的三層復合膜可能發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”的是

B

B

。
A．銅、銀；B．鐵、銅；C．銅、鋁；D．鐵、鎳。
（2）對鐵、鉻組成的復合膜，當膜層厚度是 1.7nm 時，這種復合膜電阻

具有

具有

（選填“具有”或“不具有”）“巨磁電阻效應(yīng)”。
（3）“新型讀出磁頭”可將微弱的

磁

磁

信息轉(zhuǎn)化為電信息。
（4）鐵、鉻組成的復合膜，發(fā)生“巨磁電阻效應(yīng)”時，其電阻R 比未加磁場時的電阻R₀

小

小

（選填“大”或“小”）得多。
（5）如圖是硬盤某區(qū)域磁記錄的分布情況，其中 1 表示有磁區(qū)域，0 表示無磁區(qū)域．將“新型 讀出磁頭”組成如圖所示電路，當磁頭從左向右勻速經(jīng)過該區(qū)域過程中，電流表讀數(shù)變化情況應(yīng)是如圖中的

B

B

。