第IIB族元素（Zn、Cd、Hg）和第VIA族元素（S、Se、Te）組成的某些二元化合物常用作半導(dǎo)體材料，在壓電效應(yīng)等器件方面有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Se原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p43d104s24p4，有 22個未成對電子。
（2）Zn的四種鹵化物熔點如表所示。請分析ZnF2熔點高于其他三種鹵化物，自ZnCl2至ZnI2熔點依次升高的原因：ZnF2是離子晶體，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2是分子晶體，分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔點越高ZnF2是離子晶體，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2是分子晶體，分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔點越高。
| 化合物 | ZnF2 | ZnCl2 | ZnBr2 | ZnI2 |
| 熔點/℃ | 872 | 275 | 394 | 446 |
正四面體
正四面體
，[Zn（NH3）4]2+中配位原子為 N
N
（填名稱），從化學(xué)鍵角度解釋該離子能夠形成的原因：N提供孤對電子，Zn2+提供空軌道，形成配位鍵
N提供孤對電子，Zn2+提供空軌道，形成配位鍵
。（4）H2S、H2Se、H2Te的沸點由低到高的順序為
H2S＜H2Se＜H2Te
H2S＜H2Se＜H2Te
（用“＜”連接，下同）；鍵角由小到大的順序為 H2Te＜H2Se＜H2S
H2Te＜H2Se＜H2S
。（5）氧化鋅系氣敏陶瓷是指具有氣敏效應(yīng)的半導(dǎo)體陶瓷，應(yīng)用十分廣泛。一種ZnO陶瓷的晶胞（立方體）如圖1所示，圖2是沿著立方格子對角面取得的截圖，則Zn原子與O原子間最短距離為
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×
4
（
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10
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）
3
N
A
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A
【考點】晶胞的計算．
【答案】3d104s24p4；2；ZnF2是離子晶體，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2是分子晶體，分子晶體的相對分子質(zhì)量越大，熔點越高；正四面體；N；N提供孤對電子，Zn2+提供空軌道，形成配位鍵；H2S＜H2Se＜H2Te；H2Te＜H2Se＜H2S；a；
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N
A
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：26引用：4難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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