第IIB族元素（Zn、Cd、Hg）和第VIA族元素（S、Se、Te）組成的某些二元化合物常用作半導(dǎo)體材料，在壓電效應(yīng)等器件方面有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Se原子核外電子排布式為[Ar]

3d¹⁰4s²4p⁴

3d¹⁰4s²4p⁴

，有

2

2

個(gè)未成對(duì)電子。
（2）Zn的四種鹵化物熔點(diǎn)如表所示。請(qǐng)分析ZnF₂熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自ZnCl₂至ZnI₂熔點(diǎn)依次升高的原因：

ZnF₂是離子晶體，ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂是分子晶體，分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高

ZnF₂是離子晶體，ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂是分子晶體，分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高

。

化合物	ZnF2	ZnCl2	ZnBr2	ZnI2
熔點(diǎn)/℃	872	275	394	446

（3）向硫酸鋅溶液中加入足量氨水可生成可溶性[Zn（NH₃）₄]SO₄，該物質(zhì)中所含酸根的空間結(jié)構(gòu)為

正四面體

正四面體

，[Zn（NH₃）₄]²⁺中配位原子為

N

N

（填名稱(chēng)），從化學(xué)鍵角度解釋該離子能夠形成的原因：

N提供孤對(duì)電子，Zn²⁺提供空軌道，形成配位鍵

N提供孤對(duì)電子，Zn²⁺提供空軌道，形成配位鍵

。
（4）H₂S、H₂Se、H₂Te的沸點(diǎn)由低到高的順序?yàn)?

H₂S＜H₂Se＜H₂Te

H₂S＜H₂Se＜H₂Te

（用“＜”連接，下同）；鍵角由小到大的順序?yàn)?

H₂Te＜H₂Se＜H₂S

H₂Te＜H₂Se＜H₂S

。
（5）氧化鋅系氣敏陶瓷是指具有氣敏效應(yīng)的半導(dǎo)體陶瓷，應(yīng)用十分廣泛。一種ZnO陶瓷的晶胞（立方體）如圖1所示，圖2是沿著立方格子對(duì)角面取得的截圖，則Zn原子與O原子間最短距離為

6

a

6

a

pm。晶體的密度為

81

×

4

（

2

2

×

10

-

10

）

3

N

A

81

×

4

（

2

2

×

10

-

10

）

3

N

A

g?cm^-3（N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，Zn原子半徑為apm,列出計(jì)算式即可）。