1.如圖是某裝置的簡(jiǎn)化模型。大量質(zhì)量為m、電荷量為q的質(zhì)子(即
核),從粒子源A下方以近似速度為0飄入電勢(shì)差為U
0的加速電場(chǎng)中,并從中間位置進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)兩板間寬度d,已知粒子出射后馬上進(jìn)入屏下方的真空空間,現(xiàn)給偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)兩極間加上U
1的電壓,兩極板間視為勻強(qiáng)電場(chǎng),板外電場(chǎng)忽略不計(jì)。忽略粒子所受重力和粒子間的相互作用力,求:
(1)質(zhì)子射出加速電場(chǎng)時(shí)速度的大?。?br />(2)為使質(zhì)子剛好全部射出偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板長(zhǎng)度L;
(3)在偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板下端建立x軸、y軸,質(zhì)子離開(kāi)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后馬上進(jìn)入xy坐標(biāo)系的第四象限(無(wú)電場(chǎng)),且最終打在y軸上的M點(diǎn),已知OM長(zhǎng)度為D,偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板長(zhǎng)度為L(zhǎng)
1,求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的出射點(diǎn)到坐標(biāo)原點(diǎn)O處的距離X。