碳元素以C-C鍵構(gòu)成了有機(jī)界，硅元素以Si-O-Si鍵構(gòu)成了整個(gè)礦物界，鍺元素是重要的國(guó)家戰(zhàn)略資源。碳族元素組成了有機(jī)界、無(wú)機(jī)界和當(dāng)代工業(yè)?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)鍺（Ge）原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p23d104s24p2；GeCl4分子空間構(gòu)型是正四面體正四面體。
（2）SiCl4發(fā)生水解的機(jī)理如圖1。
CCl4不能按照上述機(jī)理發(fā)生水解反應(yīng)，原因是C沒有d軌道C沒有d軌道。
（3）金剛石熔點(diǎn)為4440℃，晶體硅熔點(diǎn)為1410℃，金剛石熔點(diǎn)比晶體硅高的原因是金剛石和晶體硅均為原子晶體，C原子半徑小，C-C鍵能大金剛石和晶體硅均為原子晶體，C原子半徑小，C-C鍵能大。
（4）C和Si經(jīng)常形成原子晶體，原子晶體的配位數(shù)普遍低于離子晶體，原因是共價(jià)鍵有方向性和飽和性共價(jià)鍵有方向性和飽和性。
（5）在硅酸鹽中，SiO44-四面體[如圖（a）和（b）]通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖2（c）為片層狀結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化方式為sp3sp3，化學(xué)式為Si2O52-或者（Si2O5）n2n-Si2O52-或者（Si2O5）n2n-。
（6）鋁硅酸鹽分子篩在化工領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。鋁硅酸鹽結(jié)構(gòu)中+3價(jià)鋁部分地置換[SiO4]四面體結(jié)構(gòu)中+4價(jià)的硅。從結(jié)構(gòu)角度分析+3價(jià)鋁能夠置換+4價(jià)硅的原因是Al和Si的粒子大小相近Al和Si的粒子大小相近。
（7）石墨采取六方最密堆積方式，晶胞結(jié)構(gòu)如圖3．晶胞參數(shù)為底邊長(zhǎng)acm,高bcm,阿伏加德羅常數(shù)為NA，則石墨晶體的密度為4×12NA×32a2b4×12NA×32a2bg/cm3。
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【答案】3d104s24p2；正四面體；C沒有d軌道；金剛石和晶體硅均為原子晶體，C原子半徑小，C-C鍵能大；共價(jià)鍵有方向性和飽和性；sp3；Si2O52-或者（Si2O5）n2n-；Al和Si的粒子大小相近；
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：28引用：2難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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