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試題詳情
砷化鎵（GaAs）半導體材料與傳統(tǒng)的硅材料相比，同樣條件下，它能更快地傳導電流。且它不僅可以用來制作發(fā)光二極管、光探測器，還能用來制備半導體激光器，廣泛應用于光通信等領域。回答下列問題：
（1）Ga基態(tài)原子核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1，第四周期主族元素中，第一電離能介于Ga、As之間的元素是 33（填元素符號）。
（2）砷與鹵素可形成AsX5、AsX3型兩類化合物，其中三鹵化砷的熔點和沸點數(shù)據(jù)如表所示。
| 砷的鹵化物 | AsF3 | AsCl3 | AsBr3 | AsI3 |
| 熔點/℃ | -6 | -18 | 31.1 | 140.9 |
| 沸點/℃ | 57.8 | 130.2 | 221 | 424 |
分子晶體
分子晶體
，其熔點變化規(guī)律及原因是：AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強
AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強
。②已知AsCl5的空間構型是三角雙錐，則它是
非極性
非極性
（填“極性”、“非極性”） 分子。（3）在GaH3、NH3、AsH3中，GaH3是平面三角形分子而AsH3是三角錐形分子，判斷的依據(jù)是
GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對
GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對
，三種氫化物中，易與H+形成配位鍵的是 NH3
NH3
。（4）砷化鎵的立方晶胞結構如圖所示，晶胞參數(shù)為a nm,砷化鎵晶體的密度為ρg/cm3。則Ga的配位數(shù)是
4
4
，阿伏加德羅常數(shù)NA=5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【考點】晶胞的計算．
【答案】[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1；3；分子晶體；AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強；非極性；GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對；NH3；4；
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：7引用：3難度：0.3
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4